Цель работы:изучение работы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком (ОИ), определение его основных параметров.

↑

▷ Содержание

⇐ ПредыдущаяСтр 18 из 83Следующая ⇒

Цель работы:Изучение работы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком (ОИ), определение его основных параметров.

Оборудование рабочего места:ПК, ПО

Краткие теоретические сведения  

В работе исследуются усилительный каскад на полевом транзисторе ОИ (Рис. 1). Работа схемы исследуется методом моделирования в САПР Orcad

Подготовка к работе

1. Для схемы усилительного каскада ОИ (Рис. 1) и указанных параметров элементов (табл. 1) рассчитать:

- коэффициент усиления каскада в режиме холостого хода (K_{u хх});

- входное сопротивление каскада (R_вх);

- выходное сопротивление каскада (R_вых). Результаты занести в таблицу.

Расчет

Эксперимент

K_{u хх}

R_вх

R_вых

Рис. 1. Схема усилительного каскада ОИ

Таблица 1

№

Uo, В

β, мкА/В²

Е_пит

Rb кОм

R2, кОм

Rc, кОм

Rн, Ом

-3

-3

-3

-2

-2

-2

-1

-1

-1

+1

+1

+1

+2

+2

+2

Порядок проведения работы

1. C помощью программы OrCAD при выборе проекта Аналого-цифровой, собрать схему согласно Рис.2.

Рис. 2. Рабочая схема каскада ОИ

• Открыть библиотеку элементов и из нее вытянуть на рабочее поле все требуемые элементы: резисторы - R, конденсаторы - С, источник питания - VDC, источник входного сигнала - VSIN, полевой МДП-транзистор с индуцированным каналом и-типа - MbreakN3, полевой МДП-транзистор со встроенным каналом и-типа - MbreakN3D, земля - EGND и элемент глобальных имен - Param.

• Расположить элементы на рабочем поле, а затем соединить их в соответствии с принципиальной схемой.

• Установить параметры резисторов и источника питания в соответствии с рабочим заданием (табл. 1). Емкости конденсаторов: Cp1=1u, Cp2=5u, CI=50u, CH=10n. Сопротивление нагрузки RH={RL}.

Внимание. Фигурные скобки обязательны.

• Для синусоидального источника входного сигнала установить: AC=1; DC=0; VOFF=0; VAMPL={Ampl}; FREQ=1k.

• Установить начальные значения для сопротивления нагрузки и амплитуды входного сигнала. Для этого щелкнуть по элементу PARAMETERS и в диалоговом окне установить: Name1=RL, Value1=1000k (это почти холостой ход), Name2=Ampl, Value2=100mv.

• Сохранить схему.

• Установить параметры транзистора. Для этого щелкнуть транзистор один раз (он окрасится). Войти в интерфейсный диалог: Edit - Model - Edit instance model (text)... В окне параметров модели транзисторов установить курсор в конце первой строки (после наименования типа транзистора Mbreakn NMOS) и ввести параметры:

- K_р = коэффициент пропорциональности,

- V_t0 = <пороговое напряжение U_o>,

где <коэффициент пропорциональности>, равный удвоенному значению приведенной крутизне транзистора β и <пороговое напряжение U_o> берутся из табл. 1 подготовки к работе. Затем корректно (через ОК) выйти из режима редактирования.

2. Определить режим схемы по постоянному току.

• Установить режим расчета схемы по постоянному току (Analysis - Setup -Bias Point Detail).

• Запустить схему на расчет (F11или пиктограмма ).

• Определить потенциалы на стоке, затворе и истоке транзистора, нажав на пиктограмму . Рассчитать напряжения U_зи и U_cи.

• Для определения тока I_c нажать на пиктограмму .

Познавательные статьи:



Техника прыжка в длину с разбега

Организация работы процедурного кабинета

Области применения синхронных машин

Оптимизация по Винеру и Калману