Вказівки до виконання роботи

↑

⇐ ПредыдущаяСтр 55 из 59Следующая ⇒

Для виконання роботи потрібно засвоїти такий теоретичний матеріал: власна та домішкова провідність напівпровідників; напівпровідники p- та n- типу; контакт електронного та діркового напівпровідників (p-n перехід); контакти М- та М-р; контактна різниця потенціалів; фотоелектричні явища у напівпровідниках та їхнє практичне застосування.

Перед виконанням роботи ознайомитись з вказівками до робіт № 6.1, № 6.2.

Вентильні фотоелементи на основі кремнію, германію, сірчаного срібла тощо широко застовують в науці і техніці для безпосереднього перетворення енергії світла в енергію електричного струму, а також для реєстрації і вимірювання світлових потоків. Кремнієві і деякі інші вентильні фотоелементи використовують для виготовлення “сонячних” батарей, наприклад, для живлення радіоапаратури штучних супутників
Землі. ККД таких елементів сягає 10 − 11 %. У цій роботі визначається світлова характеристика фотоелемента ФЕСС-У-10.

Вентильний фотоелемент являє собою металеву пластинку 1, поверхню якої дифузійним методом покрито кристалічним напівпровідником n-типу 2 (рис. 6.3.1) з напівпрозорим захисним шаром 3 з того ж металу. Між шаром металу 1 та напівпровідником n-типу 2 утворюється контакт М-n (метал-напівпровідник) із запірним прошарком. Такий самий запірний прошарок виникає і на контакті напівпровідника n-типу 2 з металевим покриттям 3. При цьому контактні різниці потенціалів однакові і включені у коло назустріч. Еквівалентну схему вентильного фото-елемента зображено на рис. 6.3.2. Виникнення ЕРС на фотоелементі зумовлене явищем внутрішнього фотоефекту в запірному прошарку К2 внаслідок попадання на нього світла через прозоре металеве покриття 3.

Познавательные статьи:



Психологические особенности спортивного соревнования

Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации

Занятость населения и рынок труда

Социальный статус семьи и её типология