Для полевого транзистора с управляющим p–n–переходом рассматриваются семейства характеристик

↑

▷ Содержание

⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 5Следующая ⇒

▷ Похожие статьи

+ ,

- ,

- ,

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

- характеристика «1»

- характеристика «2»

- характеристика «3»

- характеристика «4»

+ характеристика «5»

- характеристика «6»

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

- характеристика «1»

- характеристика «2»

+ характеристика «3»

- характеристика «4»

- характеристика «5»

- характеристика «6»

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

- характеристика «1»

+ характеристика «2»

- характеристика «3»

- характеристика «4»

- характеристика «5»

- характеристика «6»

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

- характеристика «1»

- характеристика «2»

- характеристика «3»

+ характеристика «4»

- характеристика «5»

- характеристика «6»

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

- характеристика «1»

- характеристика «2»

- характеристика «3»

- характеристика «4»

- характеристика «5»

+ характеристика «6»

Укажите характеристику управления (стоко-затворную) транзистора, показанного на рисунке

+ характеристика «1»

- характеристика «2»

- характеристика «3»

- характеристика «4»

- характеристика «5»

- характеристика «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом положительного входного напряжения (U_зи>0)

- транзистор «1»

+ транзистор «2»

- транзистор «3»

- транзистор «4»

- транзистор «5»

- транзистор «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого площадь поперечного сечения канала уменьшается с ростом отрицательного входного напряжения (U_зи<0)

+ транзистор «1»

- транзистор «2»

- транзистор «3»

- транзистор «4»

- транзистор «5»

- транзистор «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация дырок в канале при отрицательном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (|-U_зи|>|-U_пор|).

- транзистор «1»

- транзистор «2»

- транзистор «3»

+ транзистор «4»

- транзистор «5»

- транзистор «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого увеличивается концентрация электронов в канале при положительном входном напряжении, большим по модулю некоторого порогового напряжения (U_зи>U_пор).

- транзистор «1»

- транзистор «2»

- транзистор «3»

- транзистор «4»

+ транзистор «5»

- транзистор «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обогащается основными носителями заряда при положительном входном напряжении (U_зи>0) и обедняется при отрицательном (U_зи< 0).

- транзистор «1»

- транзистор «2»

- транзистор «3»

- транзистор «4»

- транзистор «5»

+ транзистор «6»

Укажите условное обозначение транзистора, у которого канал обедняется основными носителями заряда при положительном входном напряжении (U_зи>0) и обогащается при отрицательном (U_зи< 0).

- транзистор «1»

- транзистор «2»

+ транзистор «3»

- транзистор «4»

- транзистор «5»

- транзистор «6»

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

- характеристики 1

+ характеристики 2

- характеристики 3

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике  

+ характеристики 1

- характеристики 2

- характеристики 3

- характеристики 4

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

- характеристики 1

- характеристики 2

+ характеристики 3

- характеристики 4

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

+ характеристики 1

- характеристики 2

- характеристики 3

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

- характеристики 1

+ характеристики 2

- характеристики 3

- характеристики 4

Укажите выходные характеристики полевого транзистора, соответствующие стоко-затворной характеристике

- характеристики 1

- характеристики 2

+ характеристики 3

На рисунке изображены выходные характеристики

- МДП транзистора с индуцированным каналом

+ МДП транзистора со встроенным каналом

- полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

На рисунке изображены выходные характеристики

- МДП транзистора с индуцированным каналом

- МДП транзистора со встроенным каналом

+ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

На рисунке изображены выходные характеристики

+ МДП транзистора с индуцированным каналом

- МДП транзистора со встроенным каналом

- полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

На выходной характеристике при U_зи=-1В обозначен характеристический треугольник, с помощью которого можно рассчитать

- крутизну стоко-затворной характеристики

+ выходное сопротивление

- коэффициент усиления по напряжению

Задано семейство стоковых характеристик полевого транзистора. Определить крутизну стоко-затворной характеристики S в рабочей точке, лежащей посередине характеристического треугольника.

- 0.25 мА/В     

- 0.8 мА/В     

+ 1.25 мА/В    

- 2 мА/В

Познавательные статьи:



Коммуникативные барьеры и пути их преодоления

Рынок недвижимости. Сущность недвижимости

Решение задач с использованием генеалогического метода

История происхождения и развития детской игры