Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Образцы тестов для проведения текущего контроляСодержание книги
Поиск на нашем сайте Тест 1.Какое из приведенных утверждений правильное? Варианты ответа: а) электронно-дырочный переход – это слой, обедненный носителями заряда; б) электронно-дырочный переход – это слой, обогащенный носителями заряда.
Тест 2. Какой из приведенных пробоев является необратимым? Варианты ответа: а) лавинный; б) туннельный; в) тепловой.
Тест 3. Какая схема включения биполярного транзистора обеспечивает наибольшее усиление мощности? Почему? Варианты ответа: а) схема с общим коллектором; б) схема с общим эмиттером; в) схема с общей базой.
Тест 4. Какой из приведенных униполярных транзисторов используется в основном в цифровой технике? Варианты ответа: а) с управляющим p-n переходом; б) МДП структуры с индуцированным каналом; в) МДП структуры со встроенным каналом.
Тест 5. В каком режиме работает транзисторный каскад, если рабочая точка расположена на крутом участке выходной ВАХ? Варианты ответа: а) ключевой; б) усилительный;
Тест 6. Какие вопросы рассматриваются в дисциплине основы электроники? Варианты ответа: а) схемотехнические; б) системотехнические; в) физико-технические и конструкторско-технологические.
Тест 7. Как представляется в зонной теории энергетическое состояние полупроводникового материала? Варианты ответа: а) временными диаграммами; б) уровнями энергии; в) зонами энергии и уровнями энергии.
Тест 8. Какой диапазон изменения удельного сопротивления характерен для полупроводниковых материалов Варианты ответа: а) 3 порядка; б) 14 порядков; в) 10 порядков.
Тест 9. Чем отличаются собственные и примесные полупроводники? Варианты ответа: а) удельной проводимостью; б) количеством электричества; в) кристаллической структурой.
Тест 10. Как формируется р-n- переход? Варианты ответа: а) механическим соприкосновением двух полупроводников; б) вжиганием одного полупроводникового материала в другой; в) методом сплавления или дифузионным способом;
Тест 11. Чем обусловлен процесс диффузии носителей заряда в полупроводнике? Варианты ответа: а) средней скоростью движения носителей заряда; б) градиентом концентрации носителей заряда; в) воздействием электрического поля.
Тест 12. Чем обусловлены процесс дрейфа носителей заряда в полупроводнике? Варианты ответа: а) воздействием электрического поля; б) градиентом концентрации носителей заряда; в) подвижностью носителей заряда.
Тест 13. Что представляет собой вольтамперная характеристика диода? Варианты ответа: а) зависимость статического сопротивления диода от напряжения на диоде; б) зависимость тока через диод от напряжения на диоде; в) зависимость динамического сопротивления диода от тока через диод;
Тест 14. Что представляет собой выходная вольтамперная характеристика n-p-n биполярного транзистора, включенного по схеме «общая база»? Варианты ответа: а) зависимость динамического выходного сопротивления транзистора от тока коллектора; б) зависимость базового тока от напряжения на переходе коллектор – база; в) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база.
Тест 15. Какая структура МДП-транзистора? Варианты ответа: а) планарная; б) диффузионная; в) эпитаксальная.
Тест 16. Чем отличаются микроэлектронные изделия «интегральная микросхема» и «чип»?. Варианты ответа: а) функциональной сложностью; б) количеством выводом; в) ничем не отличаются;
Тест 17. Какое основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от МДП-транзистора со встроенным каналом? Варианты ответа: а) длина канала; б) проводимость и ширина канала; в) способ образования канала;
Тест 18. Назовите существенное преимущества биполярного транзистора с диодом Шоттки. Варианты ответа: а) небольшой ток коллектора в режиме насыщения; б) высокое быстродействие при включении и выключении; в) очень низкое напряжение насыщения.
Тест 19. Микропроцессор – это? Варианты ответа: а) СБИС; б) БИС; в) ГИС.
|
||
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-07; просмотров: 451; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.196 (0.009 с.) |