Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Устройство и работа униполярныхСодержание книги
Поиск на нашем сайте (ПОЛЕВЫХ) ТРАНЗИСТОРОВ
Общие сведения
Работа униполярных (полевых) транзисторов основана на движении основных носителей заряда (электронов или "дырок") в полупроводниках. Управление током выходной цепи осуществляется электрическим полем, которое создается при подаче управляющего напряжения на вход транзистора. Основными преимуществами полевых транзисторов по сравнению с биполярными являются: – высокое входное сопротивление (до 10 МГом); – низкий уровень шумов; – малые нелинейные искажения; – высокая стабильность параметров; – малая чувствительность к радиационному излучению. Существуют две разновидности полевых транзисторов: – полевые транзисторы с "р-n"- переходом; – полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП-транзисторы). Графические обозначения различных типов полевых транзисторов в принципиальных электрических схемах приведены на рис. 5.4.22.
з и з и з и з и з и з и a) b) c) d) e) f)
Рис. 5.4.22. Условные графические обозначения полевых транзисторов
a) c "p-n" переходом и "p"-каналом; b) c "p-n переходом и "n"- каналом; c) МОП с встроенным "p"-каналом обедненного типа; d) МОП с встроенным "n"-каналом обедненного типа; e) МОП с индуцированным "p"-каналом обогащенного типа; f) МОП с индуцированным "n"-каналом обогащенного типа. По аналогии с биполярными транзисторами, полевые транзисторы могут также использоваться в различных схемах включения: a) с общим истоком и входом на затвор; b) с общим стоком и входом на затвор; c) с общим затвором и входом на исток. Особенности работы полевых транзисторов в различных схемах включения те же, что и у биполярных транзисторов.
4.6.2. Полевые транзисторы с "p-n"-переходом
Основу полевого транзистора с "p-n"-переходом представляет собой полупроводниковый стержень "n"-типа или "p"-типа, который имеет выводы с обоих концов. Этот стержень называется каналом. К выводам канала через сопротивление нагрузки подводится питающее напряжение. На боковой поверхности канала с противоположных сторон сформирован "p-n"-переход таким образом, чтобы он был параллелен направлению тока. Вывод канала, от которого носители заряда начинают свой путь, называется истоком, а противоположный вывод, к которому приходят носители, называется стоком. Вывод от "p-n"-перехода называется затвором. Устройство и схема включения полевого транзистора с "p-n"-переходом показаны на рис. 5.4.23.
"n"-канал "p-n"-переход
Исток Сток
Затвор ~ R н
– + + –
Рис. 5.4.23. Устройство и схема включения полевого транзистора с "р-n"-переходом Электрическое поле, создаваемое затвором, изменяет плотность носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению величины протекающего тока. Поскольку "р-n"-переход, с помощью которого происходит управление протекающим током, включен в обратном (непроводящем) направлении, то ток затвора незначителен.
|
|||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-10; просмотров: 157; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.156 (0.006 с.) |