Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Характеристики биполярных транзисторовСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Свойства транзисторов определяются их вольтамперными характеристиками. Основными из них являются входные и выходные статические характеристики. Входные характеристики транзистора отражает зависимость его входного тока от входного напряжения при фиксированном значении напряжения на коллекторе. Входные характеристики транзисторов аналогичны характеристикам диодов в прямом включении. Для схемы с общим эмиттером, которая широко применяется на практике, входной характеристикой является зависимость тока базы I б от напряжения на базе U б при постоянном напряжении на коллекторе U к . Входные характеристики транзисторов типа "n-p-n" для схемы с общим эмиттером приведены на рис. 5.4.17.
U к = 0 U к > 0
U б
Рис. 5.4.17. Входные характеристики транзистора типа "n-p-n" для схемы с общим эмиттером
Особенности различных схем включения Биполярных транзисторов
Схема с общей базой
Включение транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" по схеме с общей базой показано на рис. 5.4.19.
R н R н
+ – + – – + – + a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"
Рис. 5.4.19. Включение транзисторов по схеме с общей базой
В схеме с общей базой источник управляющего сигнала включен в цепь эмиттера, а сопротивление нагрузки – в цепь коллектора, поэтому входным током здесь является ток эмиттера I э , а выходным – ток коллектора I к . При этом ток эмиттера I э равен сумме токов базы I б и коллектора I к:
Отсюда находим выражение для тока коллектора:
Коэффициент усиления по току "α" равен отношению выходного тока к входному:
Таким образом, в схеме с общей базой коэффициент усиления по току α всегда меньше единицы. Обычно α = 0,92 – 0,99. Коэффициент усиления по напряжению к U в схеме с общей базой равен отношению выходного напряжения U вых к входному напряжению U вх : Выходное напряжение: U вых = I к · R н; Входное напряжение: U вх = I э · R вх; Определяем коэффициент усиления по напряжению: к U = Учитывая, что в схеме с общей базой ток коллектора и ток эмиттера близки по величине (I к @ I э), выражение для коэффициента усиления по напряжению приобретает следующий вид:
к U @ Схема с общим эмиттером
Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим эмиттером показана на рис. 5.4.20.
R н R н ~ ~ – + + – + – – +
Е б Е к Е б Е к
a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"
Рис. 5.4.20. Включение транзисторов по схеме с общим эмиттером
В схеме с общим эмиттером источник управляющего сигнала включен в цепь базы, а сопротивление нагрузки – в цепь коллектора. Поэтому входным током здесь является ток базы I б, а выходным – ток коллектора I к. Поскольку I э = I б + I к, то I б = I э – I к; Учитывая, что I к = α · I э; Отсюда определяем выражение для тока базы: I б = I э – α · I э = I э · (1 – α); Коэффициент усиления по току β для схемы с общим эмиттером: β = Обычно коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером находится в пределах β = (100 ¸ 150). Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером определяется выражением: к U = Выходное напряжение равно: U вых = I к · R н; Входное напряжение: U вх = I б · R вх;
к U =
Схема с общим коллектором
В этой схеме источник управляющего сигнала включен в цепь базы, а сопротивление нагрузки – в цепь эмиттера. Входным током здесь является ток базы I б, а выходным – ток эмиттера I э. Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим коллектором приведена на рис. 5.4.21.
~ R н~ R н Е б Е к Е б Е к – + + – + – – +
a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"
Рис. 5.4.21. Включение транзисторов по схеме с общим коллектором
В схеме с общим коллектором коэффициент усиления по току имеет примерно такую же величину, как и в схеме с общим эмиттером, коэффициент усиления по напряжению меньше единицы (0,7 ¸ 0,9), а величина входного сопротивления R вх зависит от сопротивления нагрузки R н:
R вх @ β · R н;
В схеме с общим коллектором усилитель имеет наименьшее выходное сопротивление по сравнению с другими схемами включения.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-10; просмотров: 184; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.156 (0.006 с.) |