МС ттл с транзисторами Шотки.

↑

▷ Содержание

⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 9Следующая ⇒

МС этого вида среди других изделий ТТЛ имеют максимальное быстродействие при умеренном потреблении мощности.

В p-n – переходе обычного диода, смещенном в прямом направлении, перенос тока обусловлен инжекцией неосновных носителей из одной области полупроводника в другую, вследствие чего после переключения приложенного напряжения с прямого на обратное, ток протекает некоторое время, пока избыточная концентрация неосновных носителей не снизится до 0 (время рассасывания).

В диодах Шотки накопления неосновных носителей не происходит. Здесь перенос тока обусловлен основными носителями – электронами, которые под действием высокого напряжения переходят из полупроводника в металл.

Неосновные носители заряда при этом не накапливаются. Благодаря этому их время выключения очень мало (до 100 пс = 0,1 нс). Для p-n перехода это время = 1 – 100 нс.

Другое достоинство диодов Шотки в том, что они отпираются при напряжении 0,2 – 0,4 В (против 0,4 – 0,7 для p-n перехода).

Диоды подключают параллельно коллекторному переходу, придавая транзистору новые свойства. Такие транзисторы называются транзисторами Шотки.

Когда транзистор заперт или находится в ненасыщенном режиме, потенциал коллектора выше потенциала базы, диод смещен в обратном направлении и не влияет на работу транзистора. Если в процессе отпирания транзистора потенциал коллектора становится ниже потенциала базы, диод открывается и на нем прямое падение напряжения U_д < 0,4В.

При этом коллекторный переход практически заперт, а, следовательно, не возникает режима насыщения и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому, при запирании транзистора исключается задержка, связанная с рассасыванием избыточного заряда.

Познавательные статьи:



Коммуникативные барьеры и пути их преодоления

Рынок недвижимости. Сущность недвижимости

Решение задач с использованием генеалогического метода

История происхождения и развития детской игры