Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Спектральная характеристика полупроводникового фотоэлементаЛаборатория оптики Лабораторная №7 Спектральная характеристика полупроводникового фотоэлемента Выполнил: студент группы 121-Рфо Сергиенко Иван Цель работы: изучение законов фотоэффекта, освоение методики градуировки монохроматора, определение относительной чувствительности фотоэлемента. Измерения Схема лабораторной установки. При измерении градуировки монохроматора, показания шкалы барабана для соответствующих цветов были занесены в таблицу 1. Таблица 1. Спектральные линии ртути Длина волны, нм Показания шкалы, 0 Красный 708,2 Красный 623,4 Желтый 579,1 Желтый 576,9 Зеленый 546,1 Голубой 491,6 Голубой Синий 435,8 Фиолетовый 407,8 Фиолетовый 404,7 По данным таблицы 1 был построен градуировочный график - зависимость длины волны спектральных линий ртути от показаний шкалы барабана монохроматора (см. рис. 2).
Рис. 2. График зависимость длины волны спектральных линий ртути от показаний шкалы барабана монохроматора. При определении относительной чувствительности полупроводникового фотоэлемента было найдено показание угла ϕm по его шкале, для которого напряжение принимает максимальное значение Um (в таблице 2 это столбец 5). Величине угла ϕm соответствует длина волны λm. Были измерены значения напряжения U для 9 различных делений шкалы барабана ϕ, по обе стороны от величины ϕm, таким образом, чтобы напряжение сначала увеличивалось от минимального значения до максимальной величины, а потом снова убывало до минимального значения.
По формуле (1) была рассчитана относительная спектральная чувствительность полупроводникового фотоэлемента γλ/γλm для данных длин волн λ. Все результаты занесены в таблицу 2. Таблица 2. Велич. φ U, мВ 23,5 25,5 26,5 16,5 λ, м 557,2 563,2 576,9 576,9 612,3 615,9 620,4 623,4 686,7 708,2
1,15 1,18 1,17 1,20 1,00 0,96 0,87 0,71 0,46 0,26 По данным таблицы 2 был построен график зависимости относительной чувствительности фотоэлемента γλ/γλm от длины волны λ (см. рис. 3).
Рис. 3. График зависимость относительной чувствительности фотоэлемента от длины волны. Вывод: в ходе исследования выяснилось, что при увеличении длины волны относительная чувствительность фотоэлемента параболически увеличивается до длины волны, при которой напряжение максимально, а потом начинает убывать.
|
||
|
Последнее изменение этой страницы: 2024-06-17; просмотров: 54; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.196 (0.006 с.) |