Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Классификация интегральных микросхем (ИМС) и их элементовСодержание книги
Поиск на нашем сайте Интегральные микросхемы (ИМС) различаются по отдельным признакам, которые позволяют определить особенности конструкции и технологию построения, физические принципы работы, свойства и особенности эксплуатации интегральных микросхем. Рассмотрим основные признаки, по которым классифицируются интегральные микросхемы. По технологии изготовления: Пленочные — все элементы и межэлементные соединения представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическую подложку. Пленочная технология делится на два направления, связанных соответственно с использованием тонких или толстых пленок (соответственно ИМС называются тонкопленочными или толстопленочными). Тонкопленочные, с толщиной пленки от 1—3 мкм, создаются методом термовакуумного распыления специальных проводящих и резистивных паст. Толстопленочные, толщиной от 3—5 мкм, создаются методом вжигания специальных проводящих и резистивных паст. Монолитные — (в отечественной литературе употребляется термин «полупроводниковые ИС») — все элементы выполнены в тонком (5—10 мкм) приповерхностном слое полированной полупроводниковой пластины (кристалле) и на ее поверхности в результате легирования, травления, оксидирования и др. с использованием метода литографии. Важнейшим параметром таких микросхем является размер, одного элемента(транзистора). Этот параметр измеряется для современных микросхем в нанометрах (нанометр – одна миллиардная метра).и для передовых технологий размеры транзистора доведены до 5 нанометров. Такие размеры транзисторов и позволяют получить на кристалле размером несколько квадратных сантиметров миллиарды логических вентилей. В результате получается полностью полупроводниковая микросхема или т.н. чип. По конструктивно-технологическим признакам: Пленочные — все элементы и соединения выполнены по пленочной технологии в виде проводящих, полупроводниковых и диэлектрических пленок. В пленочных ИМС очень сложно реализовать активные элементы. Их присоединяют к пленочным ИС навесным монтажом. Такие схемы называются гибридными. Гибридные — пассивные элементы выполнены по пленочной технологии, а активные компоненты являются навесными. В качестве компонентов используются малогабаритные бескорпусные дискретные элементы или монолитные бескорпусные ИС, соединенные между собой пассивными элементами на подложке с помощью жестких проводников. Полупроводниковые — пассивные и активные элементы и межэлементные соединения, выполненные на основе одного кристалла полупроводникового материала кремния, на так называемой активной подложке (монолитная технология). Совмещенные — активные элементы изготовлены по монолитной технологии, а пассивные элементы и межэлементные соединения — по пленочной. Основой схем является кристалл, на котором для пленочных структур создается изолирующий аморфный слой Si02 (подложка). По функциональному назначению: Аналоговые (АИС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем АИС является интегральная микросхема с линейной характеристикой (линейная ИМС). Номенклатура АИС включает в себя электронные устройства, выполняющие различные функции, операционные усилители (ОУ), усилители низких и высоких частот, промежуточные усилители, компараторы, стабилизаторы напряжений, ограничители, фильтры частот и др. Цифровые (ЦМС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной (прерывистой) функции (например, выраженной в двоично-цифровом коде). Частным случаем ЦИС является логическая микросхема, выполняющая одну или несколько логических функций. Простейшие логические ИС, реализующие элементарные функции «И», «ИЛИ», «НЕ» и др., называются логическими элементами или вентилями. На основе ЦИС строятся как простые элементы, входящие в состав устройств вычислительной техники (запоминающие устройства, сумматоры, дешифраторы и т.д.), так и сложные функциональные устройства — микропроцессоры, однокристальные ЭВМ и др. Аналогоцифровые и цифроаналоговые — особые виды ИМС, служащие для преобразования аналоговых сигналов в цифровые, и наоборот, в устройствах обработки информации, автоматического управления, передачи данных, в измерительных системах, автоматически регистрирующих приборах и др. По степени интеграции: В соответствии со степенью интеграции (К) ИМС условно подразделяются в зависимости от функционального назначения. Цифровые: МИС — малая интегральная схема — до 10 элементов и компонентов (АО, входящих в ИС, первая степень интеграции К= gN = = lglO = 1. CMC — средняя интегральная схема — до 102 элементов и компонентов, входящих в ИС, вторая степень интеграции. БИС — большая интегральная схема — до 103 элементов и компонентов, входящих в ИС, третья степень интеграции. СБИС — сверхбольшие интегральные схемы — до 104 элементов и компонентов, входящих в ИС, четвертая степень интеграции. ГИС — гигантская интегральная схема — до 105 элементов и компонентов, входящих в ИС, пятая степень интеграции. УБИС — ультрабольшие интегральные схемы — до 106—109 элементов и компонентов, входящих в ИС, шестая степень интеграции. ГБИС — гигаболыпая интегральная схема — свыше 109 элементов и компонентов, входящих в ИС, седьмая степень интеграции. Аналоговые имеют меньшую степень интеграции, так как построены на разнотипных элементах: МИС — N = 1—30 элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему, первая степень интеграции. СИС — N = 31 — 100 элементов и компонентов, входящих в ИС, вторая степень интеграции. БИС — N= 101—300 элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему, третья степень интеграции. СБИС — N > 300 элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему, четвертая степень интеграции. По физическому принципу работы активных элементов: Биполярные ИС — основные активные элементы выполнены на транзисторах структуры п-р-п, но также применяются транзисторы структуры р-п-р. МДП-ИС — активные элементы выполняются на транзисторах МДП-структуры с каналами р- и я-типа. По применению: широкого применения; специального применения (по заказу потребителя). Интегральные схемы разрабатываются и выпускаются сериями. Серией называют совокупность типов ИМС, которые выполняют различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и совместимы между собой. Современные серии включают несколько десятков ИС с различными функциями.
|
||
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-11-27; просмотров: 141; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.21 (0.007 с.) |