Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Оценка погрешностей измеренийСодержание книги
Поиск на нашем сайте 1. Систематическаяотносительная погрешность при косвенном многократном измерениитемпературного коэффициента сопротивления находится по известным правилам (см. Приложение). За исходную функцию удобно взять выражение, полученное из формулы (4.2)
Тогда
здесь 2. Случайная относительная погрешность косвенных измерений величины a t находится по тому же правилу, что и в п. 1. В качестве исходной функции удобно взять расчётную формулу (4.4). Тогда
где Поскольку зависимость сопротивления проводника от температуры является функцией линейной и изображается прямой, то погрешности
где Коэффициенты Стьюдента Таблица 4.1
3. Доверительная граница полной относительной погрешности рассчитывается по формуле
4. Полнаяабсолютная погрешность находится из её связи с относительной
5. По аналогичной схеме рассчитываются погрешности косвенных измерений энергии активации полупроводника. 6. Оформить отчёт по работе в соответствии с прилагаемым образцом и сравнить a t и D W с табличными значениями (табл. 4.4, 4.5). ОТЧЁТ По лабораторной работе «Изучение температурной Зависимости сопротивления проводника и полупроводника» Исполнитель студент(ка) гр._____ Цель работы:... Краткое описание метода исследования:... Расчетные формулы: (объяснить входящие в формулы физические величины и указать единицы их измерения в СИ) … Оборудование:... Средства измерений и их характеристики Таблица 4.2
Результаты измерений Таблица 4.3
Результаты расчетов 1. k 1 = … = … Ом/ºС; (4.8)
3. a t = … = … 1/ºC; (4.10) 4. g = … = … %; (4.11) 5. d k 1 = … = … Ом/ºС; (4.13) 6. d R 0 = … Ом; (4.14) 7. e = … = … %; (4.12) 8. E = … = … %; (4.15) 9. Da t = … = … 1/ºC; (4.16) 10. Окончательный результат: a t = … ± … 1/ºС, Е = … %; 11. k 2 = … = … К; (4.9) 12. D W = … = … Дж = … эВ. (4.7) (1 эВ 13. Оценка погрешностей ширины запрёщенной зоны D W исследуемого полупроводника. 14. Вывод. Примечание. К отчёту прилагаются два графика, построенные по данным табл. 4.3.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-11-27; просмотров: 123; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.156 (0.006 с.) |