Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Опис схеми дослідження випрямлячаСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Рис.1.8.Схема дослідження випрямляча.
На схемі
В роботі досліджується двопівперіодна мостова схема випрямляння, зібрана на основі випрямляючого блоку діодів
Порядок виконання роботи
1. На монтажній панелі з елементів набору і вимірювальних приладів складіть схему дослідження випрямляча згідно з рис.1.8. Зверніть увагу на полярність конденсатора 2. Приєднайте осцилограф до вхідних гнізд випрямляча. Ручками керування осцилографа добийтеся стійкого зображення змінної напруги на екрані осцилографа. Зарисуйте осцилограму напруги разом з великими клітинками масштабної сітки та вкажіть чутливість каналу вертикального підсилення і тривалість розгортки. Від’єднайте вхід осцилографа від входу схеми і приєднайте його паралельно до резистора Тумблером 3. Для знімання зовнішньої характеристики випрямляча
Таблиця 1.1.
За даними таблиці побудуйте навантажувальну характеристику випрямляча. 4. Для визначення коефіцієнта пульсацій випрямляча відключіть конденсатор
1.6.Контрольні запитання
1. Який механізм винекнення p-n - переходу? 2. Які властивості p-n - переходу? 3. Яке призначення і структура випрямлячів? 4. Які основні схеми випрямлення? 5. Які вимоги до діодів, що використовуються у випрямлячах? 6. Поясніть роботу мостової схеми випрямлення. 7. Поясніть необхідність згладжуючих фільтрів у схемах випрямлячів. Робота 2. Дослідження біполярного транзистора
Мета роботи
Експериментальним шляхом зняти статичні вольт-амперні характеристики біполярного транзистора, ввімкненого з загальним емітером; визначити за цими характеристиками його h - параметри та освоїти методику вимірювання параметрів транзисторів за допомогою тестера.
Теоретичні відомості
Біполярним транзистором називають напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими p-n переходами і трьома виводами, призначений для підсилення, генерування і комутації електричних сигналів. Основою транзистора є кристалічна пластинка германію чи кремнію, в якій за допомогою відповідних домішок утворюють три області з різним типом домішкової провідності. Транзистори, в котрих крайні області мають діркову провідність, а середня електронну - називають транзисторами p-n-p типу. В транзисторах n-p-n типу крайні області мають електронну провідність, а середня -діркову (рис.2.1). Крайні області називають емітером (Е) і колектором (К), а середню -базою (Б).
Рис.2.1. Структура і типи транзисторів: n-p-n типу (а) і p-n-p типу (б).
Принцип роботи транзисторів обох типів однаковий, але полярність прикладених напруг протилежна. У назві біполярні відбито той факт, що струм через транзистор визивається рухом носіїв заряду обох знаків - дірок і електронів, на відміну від польових транзисторів, де струм у каналі виникає в результаті руху носіїв лише одного знаку. Транзистори вмикають в електричні кола таким чином, щоб до переходу емітер-база зовнішня напруга була прикладена у прямому напрямку, а до переходу колектор-база -в зворотному. Коротко розглянемо роботу біполярних транзисторів на прикладі транзистора n-p-n типу (рис.2.2).
Рис.2.2. Схема вмикання транзистора із загальною базою.
Так як емітерний перехід зміщений у прямому напрямку, то навіть невелика напруга між емітером і базою визиває перехід основних носіїв, в даному випадку електронів, із емітера в базу. Цей процес називають інжекцією основних носіїв із емітера в базу. В області бази інжектовані носії стають неосновними і в наслідок теплового руху (дифузії) і під дією прискорюючого поля колекторного переходу (дрейфу) досягають колектора, створюючи основний струм колектора Розглянуте вмикання транзистора називають вмиканням з спільною базою, оскільки вивід бази є спільним для вхідного і вихідного кіл. Отже, при такому вмиканні величиною вихідного колекторного струму транзистора можна керувати, змінюючи величину вхідного емітерного струму. Відношення приростів колекторного струму до емітерного носить назву коефіцієнта передачі за струмом в схемі з спільною базою
Величина Схема вмикання транзистора зі спільною базою характеризується низьким вхідним та великим вихідним опорами і застосовується дуже рідко, зокрема, у підсилювачах напруги, що працюють на високоомне навантаження. На рис.2.3, а приведено схему вмикання транзистора з спільним колектором. Вона відрізняється великим вхідним та малим вихідним опорами, тому застосовується у вхідних (буферних) каскадах підсилювачів та у вихідних каскадах підсилювачів потужності для узгодження з низькоомним навантаженням. Коефіцієнт підсилення за напругою в цій схемі близький до одиниці.
а) б)
Рис.2.3. Схеми вмикання транзистора із загальним колектором (a) та загальним емітером (б).
Найчастіше використовується вмикання транзисторів із спільним емітером (рис 2.3, б). При цьому вмиканні здійснюється підсилення і за напругою, і за струмом. Відношення приростів колекторного струму до базового називають коефіцієнтом передачі транзистора за струмом у схемі з загальним емітером
Основними характеристиками транзистора, ввімкнутого за схемою з загальним емітером, є статична вхідна характеристика Підсилюючі властивості транзисторів оцінюються за їх характеристиками за допомогою системи h- параметрів. Значення h-параметрів знаходять з побудови характеристичних трикутників на статичних вольт-амперних характеристиках транзистора в околі робочої точки. При дії малих сигналів транзистор розглядають як лінійний активний чотириполюсник (рис.2.4).
Рис. 2.4. Схема чотириполюсника, еквівалентного транзистору.
За допомогою системи h-параметрів легко отримати вирази для приростів вхідної напруги і вихідного струму, як функцій зміни струму бази і колекторної напруги
З приведених рівнянь легко встановити фізичний зміст h-параметрів. Зокрема, параметр
Параметр
Важливим параметром транзистора є його коефіцієнт передачі за струмом
Параметр
Параметри Система h- параметрів використовується при побудові схем заміщення транзисторів, необхідних при теоретичному аналізі роботи електронних кіл. Схема заміщення біполярного транзистора приведена на рис.2.5.
Рис.2.5. Схема заміщення транзистора.
Зі схеми ри.2.5. видно, що транзистор можна розглядати, як кероване джерело струму. Величина струму генератора визначається струмом бази, який, в свою чергу, залежить від величини прикладеної напруги і вхідного опору транзистора
Програма роботи
1.Зібрати схему дослідження характеристик транзистора зі спільним емітером. 2.Зняти сім'ю вхідних статичних характеристик 3.Зняти сім'ю вихідних статичних характеристик 4. Визначити h-параметри транзистора і порівняти з довідковими даними. 5. Побудувати схему заміщення транзистора. 6. Визначити коефіцієнт передачі за струмом
|
|||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-18; просмотров: 669; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.146 (0.006 с.) |