Діодна, терморезисторна термокомпенсація
При підвищенні температури вхідна характеристика транзистора зміщується вліво. Щоб струм бази незмінювался, необхідно зменшити Uзм(UОБ). Тоді струм колектора буде постійним.
Для цього у схемах з температурною компенсацією (рис.57) в ланцюгах зміщення використовуються термокомпенсуючі елементи: терморезистори RТ або напівпровідникові діоди замість R2.
ІОК = β ІОБ = const, Uзм = R2.
Рисунок 57 – Термокомпенсація: а) за допомогою терморезистора; б) за допомогою діода
Як терморезистор можуть використовуватися недротяні резистори з негативним температурним коефіцієнтом. Із зростанням температури опір терморезистора RТ (рис.57,а) зменшується, при цьому напруга зміщення UБЕ0 на транзисторі знижується, що викликає зменшення ІОК. Оскільки, з одного боку, збільшення температури викликало зростання ІОК, а з іншого - через пониження зміщення UБЕ0 зменшення цього ж струму, за певних умов температурні коливання струму ІОК можуть бути істотно зменшені. Ефективність схеми можна підвищити, якщо замість резистора R1 включити терморезистор з позитивним температурним коефіцієнтом.
При використовуванні для температурної компенсації напівпровідникового діода (рис.57, б) підвищення температури викликає зменшення прямого опору діода, що приводить до зменшення зміщення, при цьому зростання ІОК компенсується. У цій схемі застосовуються стабілітрони або германієві діоди. Діодна стабілізація застосовується у вихідних двотактних каскадах, при роботі транзисторів в режимі В, для отримання низької напруги зміщення.
Перевага схем діодної температурної компенсації у тому, що можна одержати повну температурну компенсацію зміни положення робочої точки.
ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ:
1 Чому виникає потреба у температурній стабілізації підсилювача і як вона забезпечується?
2 Наведіть схеми термокомпенсації у підсилювачах і поясніть принцип дії?
3 Як реалізується схема зміщення фіксованою напругою?
4 Знайти І0Б, ІД, R1, R2, якщо струм І0К=0,8мА, h21Е=40, Е=36В, UБЕ0=0,6В.
ВИКЛАДАЧ – Ковальова Т.І.
ЛЕКЦІЯ № 18 (2 год.)
ТЕМА 3.5 Каскади попереднього підсилення на біполярних транзисторах
МЕТА:
- навчальна: ознайомити студентів з каскадами попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК);
- розвиваюча: розширити світогляд студентів, поглибити вивчене для систематизації та узагальнення фундаментальних знань щодо основних схем попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК); розвивати вміння самостійно застосовувати знання до вирішення практичних завдань;
- виховна: виховувати увагу, логічне мислення, впевненість у вирішенні практичних завдань:
ОБЛАДНАННЯ: дошка, схеми, характеристики
ПЛАН
1Типова схема попереднього резистивного підсилювача на біполярному транзисторі.
2 Схема підсилювача з спільною базою, з спільним колектором. Особливості схем.
ЗМІСТ ЛЕКЦІЇ
|
