Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ)Содержание книги Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте В схеме с ОЭ входной сигнал поступает на выводы база - эмиттер,выход- ной снимается с коллектора относительно эмиттера.Эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей. Основной особенностью схемы с ОЭ является то,что входным током в ней является не ток эмиттера,а малый по величине ток базы I б. Поэтому входное сопротивление каскада с общим эмиттером значительно выше,чем входное сопротивление каскада с общей базой и составляет сотни Ом. Выходное сопротивление в схеме с общим эмиттером также достаточно велико (порядка десятков килоом).В многокаскадном усилителе на транзис- торах,включенных по схеме с ОЭ,в ряде случаев можно обойтись без специ- альных согласующих устройств между каскадами. Важнейшим достоинством схемы с ОЭ является большое усиление по току. Коэффициент усиления по току равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока базы,т.е. K i = Δ I k / Δ I б. = β. Обычно это отношение Δ I k / Δ I б. обозначается буквой β. Соотношение меж- ду β и α определяет формула β = α /1- α (ΔIб = ΔIэ - ΔIк => β = Δ I k / Δ I б = = Δ I к / Δ I э - Δ I к, учитывая,что ΔIэ / ΔIк = 1/ α,получим β = α /1- α). Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером имеет примерно такую же величину,как и для схемы с общей базой. Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОЭ,равен К р = К i · К u = β· К u; оказывается значительно выше,чем для схемы с общей базой и может дости- гать несколько тысяч. Схема включения с ОК
Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК) В схеме с общим кллектором входной цепью является база-коллектор,вы- ходной - коллектор-эмиттер.Обшим электродом является коллектор.Нагрузка присоединяется к эмиттеру. Входным током является ток базы (как и в схеме с ОЭ),а выходным током,протекающим по сопротивлению нагрузки - ток эмиттера. Поэтому коэффициент усиления по току определяется по формуле K i = Δ I э / Δ I б = 1 / 1- α. Входное сопротивление схемы с ОК очень велико (по- рядка сотен килом),а выходное наоборот,составляет десятки Ом.Поэтому каскад ОК имеет коэффициент усиления по напряжению Кu< 1.Данная схема применяется в основном для согласования сопротивлений между отдельными каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой
Статический режим работы Статические характеристики транзисторов,как и статические характерис- тики электронных ламп,связывают между собой токи и напряжения различ- ных электродов прибора. В транзисторах взаимно связаны всегда четыре ве- личины: входные и выходные токи и напряжения.Одним семейством харак- теристик эту зависимость показать нельзя.Поэтому необходимо пользоваться двумя семействами статических характеристик транзистора.Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характери- стики для двух основных схем с ОЭ и ОБ. Для схемы с ОБ входная характеристика представляет собой зависимость тока эмиттера Iэ от напряжения между эмиттером и базой Uэб при постоянной величине напряжения между коллектором и базой Uкб Iэ = f(Uэ.б) при Uкб = const.
Статические характеристики транзистора для схемы с общей базой: а) - входные; б) - выходные;
Выходные характеристики транзистора для схемы с общей базой изоб- ражают зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при по- стоянных значениях эмиттерного тока. I к = φ (U к.б) при I э = const. Из выходных характеристик видно,что при нормальной рабочей полярнос- ти напряжения Uк.б,когда коллекторный переход работает в обратном направ- лени, выходные характеристики представляют собой почти прямые линии, идущие с очень небольшим наклоном.Это обьясняется тем,что коллекторный ток создается за счет диффузии зарядов, проникающих от эмиттера через ба- зу к коллектору.Поэтому величина коллекторного тока определяется глав- ным образом величиной тока эмиттера и незначительно зависит от напряже- ния Uк.б,приложенного к коллекторному переходу.Из характеристики видно, что даже при U к.б. =0 ток коллектора может иметь достаточно большую вели- чину,зависящую от величины тока эмиттера. При Iэ = 0 характеристика выходит из начала координат,а затем идет на не- большой высоте почти параллельно оси абсцисс.Она соответствует обычной характеристике обратного тока p-n перехода.Ток Iко,определяемый такой ха- рактеристикой,является неуправляемым и представляет собой один из пара- метров транзистора.Из выходных характеристик видно также,что при пере- мене полярности напряжения Uк.б ток Iк резко уменьшается и достигает нуля при значениях напряжения Uк.б порядка десятых долей вольта.В этом случае коллекторный переход работает в прямом направлении и напряжение Uк.б противодействует диффузии носителей зарядов,идущих от эмиттера к кол- лектору.При дальнейшем увеличении прямого напряжения,приложенного к коллекторному переходу,ток через этот переход резко возрастает и идет в направлении,обратном нормальному рабочему току.При этом транзистор мо- жет выйти из строя.Поэтому участки характеристик,показанные пунктирны- ми линиями,не являются рабочими и обычно на грфиках не приводятся. Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой яв- ляется график зависимости тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uб.э при постоянном значении напряжения коллектор- эмиттер Uк.э. I б = f (U б.э.) при U к.э. = const Статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером: а-входные;б-выходные; Выходные характеристики транзистора для схемы с ОЭ представляют со- бой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмит- тером при постоянном токе базы I к = f (U к.э.) при I б = const. Из характеристик видно,что с ростом напряжения Uк.э ток Iб уменьшается. Это обьясняется тем,что при увеличении Uк.э растет напряжение,приложен- ное к коллекторному переходу в обратном направлении,уменьшается веро- ятность рекомбинации носителей заряда в базе,так как почти все носители быстро втягиваются в коллектор.
|
||
|
Последнее изменение этой страницы: 2021-03-09; просмотров: 971; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.176 (0.008 с.) |