Мы поможем в написании ваших работ!
ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
|
Список используемых источников
1 ГОСТ 17021-88. Микросхемы интегральные: Термины и определения.
2 ГОСТ 18421-93. Усилители операционные: Термины и определения.
3 ГОСТ 19480-89. Микросхемы интегральные: Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров.
4 ГОСТ 2.701-84 ЕСКД. Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению
5 ГОСТ 2.702-75 ЕСКД. Правила выполнения электрических схем
6 ГОСТ 2.710-81 ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах
7 ГОСТ 2.723-68. ЕСКД: Катушка, дроссели, трансформаторы, автотрансформаторы, магнитные усилители.
8 ГОСТ 2.728-74. ЕСКД: Резисторы, конденсаторы.
9 ГОСТ 2.730-73. ЕСКД: Полупроводниковые приборы.
10 ГОСТ 2.731-81. ЕСКД: Электровакуумные приборы.
11 ГОСТ 2.743-82. ЕСКД: Элементы цифровой техники.
12 ГОСТ 2.764-86. ЕСКД: Интегральные оптоэлектронные элементы индикации.
13 ГОСТ 20003-74. Транзисторы биполярные: Термины и определения.
14 ГОСТ 20332-84. Тиристоры: Термины и определения.
15 ГОСТ 21414-75. Резисторы: Термины и определения.
16 ГОСТ 26975-86. Микросборки: Термины и определения.
17 Бочаров, Л.Н. Расчет электронных устройств на транзисторах / Л.Н.Бочаров, С.К.Жебряков, И.Ф.Колесников. – М.: Энергия, 1987. – 208 с.
18 Василенко, B.C. Электроника и микроэлектроника / B.C.Василенко, М.С.Хандогин. – Мн., 2003.
19 Ворсин, Н.Н. Основы радиоэлектроники / Н.Н.Ворсин, Н.М.Ляшко. – Мн., 1992.
20 Галкин, В.И. Промышленная электроника и микроэлектроника / В.И.Галкин, Е.В.Пелевин. – М.: Высш. шк. – 2006.
21 Галкин, В.И. Промышленная электроника/ В.И.Галкин. – Мн.: Выш.шк. – 1989.
22 Галкин, В.И. Полупроводниковые приборы/ В.И.Галкин, А.Л.Булычев, В.А.Прохоренко. – Мн.: Беларусь – 1987.
23 Герасимов, В.Г. Основы промышленной электроники / В.Г.Герасимов. – М.: Высш. шк., 1986. – 332 с.
24 Грабовский, Б. Краткий справочник по электронике / Б.Грабовский. – Москва: ДМК Пресс, 2004. – 416 с.
25 Гуревич, Б.М. Справочник по электронике молодого рабочего / Б.М.Гуревич. – М.: Высшая школа, 1987. – 272 с.
26 Ибрагим, К.Ф. Основы электронной техники / К.Ф.Ибрагим. – Москва: Мир, 2001. – 398 с.
27 Мокеев, O.K. Полупроводниковые приборы и микросхемы / O.K.Мокеев. – М., 1987.
28 Москатов, Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам / Е.А.Москатов. – М.: "Радио", 2005. – 208 с.
29 Москатов, Е.А. Электронная техника / Е.А.Москатов. – Т.: Радио, 2004. - 121 с.
30 Нефедов, А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: справочник: в 12 т. / А.В.Нефедов. – М., 2002.
31 Петухов, В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: справочник: в 4 т. / В.М. Петухов. – М., 2000.
32 Тиристоры. Справочник / О.П.Григорьев [и др.]. – М., 1990.
33 Транзисторы для аппаратуры широкого применения: справочник / К.М.Брежнева [и др.]; под ред. Б.Л.Перельмана. – М., 1981.
34 Усатенко, С.Т. Выполнение электрических схем по ЕСКД: справочник / С.Т.Усатенко, Т.К.Каченюк, М.В.Терехова. – М.: Издательство стандартов, 1989. – 120 с.
35 Хрулев, А.К. Диоды и их зарубежные аналоги: справочник: в 3 т. / А.К.Хрулев, В.П.Черепанов. – М., 2002.
36 Цифровые интегральные микросхемы / М.И.Богданович [и др.]. – М.,1991.
37 Электронные усилители / В.Р.Гольцев [и др.]. – М., 1990.
Задания на домашнюю контрольную работу по учебной
дисциплине «Электронная техника»
Задача № 1
1 Приведите условное изображение р-n перехода с подключением к нему источников питания (рисунок 1). Нанесите на изображенном р-n переходе заданные носители заряда с указанием направления их перемещения (таблица 1).
Рисунок 1 – Условное обозначение р-n – перехода с источником
питания
2 Обозначьте на рисунке тип проводимости обеих областей (P или N) и полярность источника питания, соответствующую заданному перемещению носителей заряда.
3 Отметьте, в каком направлении включен р-n – переход (в прямом или обратном).
4 Приведите вольтамперную характеристику, соответствующую такому включению р-n – перехода для двух разных температур.
5 Укажите порядок величин тока и напряжения, соответствующих полученному направлению включения р-n – перехода.
Таблица 1 – Варианты задания к задаче № 1
| №
варианта
| Тип носителей заряда
| Знак перемещающихся носителей заряда (Н.З.)
| Направление
перемещения
| | 00
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 01
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 02
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 03
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 04
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 05
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 06
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| Продолжение таблицы 1
| №
варианта
| Тип носителей заряда
| Знак перемещающихся носителей заряда (Н.З.)
| Направление
перемещения
| | 07
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 08
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 09
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 10
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 11
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 12
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 13
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 14
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 15
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 16
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 17
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 18
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 19
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 20
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 21
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 22
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 23
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 24
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 25
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 26
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 27
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 28
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 29
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 30
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 31
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 32
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 33
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 34
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 35
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 36
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 37
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 38
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 39
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 40
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 41
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 42
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 43
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 44
| О.Н.
| +
| Справа налево
| Продолжение таблицы 1
| №
варианта
| Тип носителей заряда
| Знак перемещающихся носителей заряда (Н.З.)
| Направление
перемещения
| | 45
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 46
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 47
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 48
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 49
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 50
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 51
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 52
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 53
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 54
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 55
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 56
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 57
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 58
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 59
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 60
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 61
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 62
| О.Н.
| –
| Справа налево
| | 63
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 64
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 65
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 66
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 67
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 68
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 69
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 70
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 71
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 72
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 73
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 74
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 75
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 76
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 77
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 78
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 79
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 80
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 81
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 82
| О.Н.
| –
| Справа налево
| Продолжение таблицы 1
| №
варианта
| Тип носителей заряда
| Знак перемещающихся носителей заряда (Н.З.)
| Направление
перемещения
| | 83
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 84
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 85
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 86
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 87
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 88
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 89
| Н.Н.
| +
| Справа налево
| | 90
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 91
| Н.Н.
| –
| Слева направо
| | 92
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 93
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 94
| О.Н.
| +
| Справа налево
| | 95
| О.Н.
| –
| Слева направо
| | 96
| Н.Н.
| +
| Слева направо
| | 97
| Н.Н.
| –
| Справа налево
| | 98
| О.Н.
| +
| Слева направо
| | 99
| Н.Н.
| +
| Слева направо
|
Задача № 2
Выберите из приложения А, таблица А.1 полупроводниковый диод согласно своему варианту задания (таблица 2). Охарактеризуйте выбранный прибор и укажите физический смысл заданного в графе 4 таблицы 2 параметра.
Ответ должен содержать:
– таблицу с выписанным заданием своего варианта;
– таблицу с записью обозначения (маркировки) выбранного диода (Приложение В) и его справочными данными;
– запись определения данного типа диода и его условное графическое обозначение (УГО);
– запись с расшифровкой маркировки выбранного диода;
– краткий ответ о том, какое свойство p-n – перехода используется в этом типе диодов;
– габаритный чертеж диода;
– схему включения;
– типовую вольт-амперную характеристику (для варикапа – зависимость емкости (заряда) от приложенного напряжения);
– характеристика физического параметра, заданного в таблице 2, графа 4.
Таблица 2 – Варианты задания к задаче № 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 00
| Варикап
| Постоянное обратное напряжение Uобр = 25В
| Iобр
| | 01
| Выпрямительный
| Максимальное постоянное прямое напряжение
| rдин
| | 02
| Варикап
| Емкость С = 100 pФ
| QВ
| | 03
| Туннельный
| Максимальный пиковый туннельный ток
| UВ
| | 04
| Выпрямительный
| Максимальный постоянный обратный ток
| Iпр,д
| | 05
| Стабилитрон
| Напряжение стабилизации Uст = 8,5В
| rcm
| | 06
| Варикап
| Постоянное обратное напряжение Uобр = 25В
| Pпр
| | 07
| Выпрямительный
| Наибольшее предельное постоянное обратное Uобр
| Pпр, ср
| | 08
| Стабилитрон
| Напряжение стабилизации Uст = 8,6В
| rдиф
| | 09
| Туннельный
| Наименьшая общая емкость
| Uпроб.
| | 10
| Выпрямительный
| Наибольший допустимый постоянный ток
| Iобр, ср
| | 11
| Светоизлучающие
| Наименьший постоянный прямой ток
| Uпр
| | 12
| Сверхвысокочастотные
| Наибольшие потери преобразования
| Iпот
| | 13
| Выпрямительный
| Постоянное прямое напряжение
| Uобр, и, п
| | 14
| Варикап
| Наибольшая емкость
| fпред, в
| | 15
| Туннельный
| Пиковый ток
Iи = 1,3 ¸ 1,7 мА
| Uп
| | 16
| Стабилитрон
| Напряжение стабилизации
Uст = 5,6В
| Uст
| | 17
| Выпрямительные блоки и сборки
| Минимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение
| Uпр, и
| | 18
| Светоизлучающие
| Постоянный прямой ток Iпр = 10мА
| Pизл
| Продолжение таблицы 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 19
| Сверхвысокочастотные
| Потери преобразования Lпреоб = 6дБ
|  bи
| | 20
| Варикап
| Емкость С = 30pФ
| Qв
| | 21
| Туннельный
| Пиковый ток
Iп = 4,5 ¸ 5,1мА
| Iп
| | 22
| Стабилитрон
| Напряжение стабилизации Uст = 9В
| Нcт
| | 23
| Выпрямительный
| Постоянное напряжение Uпр = 12В
| Uобр, и, р
| | 24
| Светоизлучающий
| Наибольшее постоянное прямое напряжение
| lmax
| | 25
| Сверхвысокочастотные
| Наибольший нормированный коэффициент шума
| h
| | 26
| Выпрямительные блоки и сборки
| Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение
| Uобр
| | 27
| Сверхвысокочастотные
| Наименьший нормированный коэффициент шума
| Fнорм
| | 28
| Светоизлучающие
| Наименьшее постоянное прямое напряжение
| L
| | 29
| Туннельный
| Минимальное отношение пикового тока к току впадины
| Iв
| | 30
| Стабилитрон
| Наименьший средний температурный коэффициент напряжения
| Iст
| | 31
| Выпрямительный
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 0,4В
| Uпор
| | 32
| Светоизлучающий
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 3В
| L
| | 33
| Сверхвысокочастотный
| Нормированный коэффициент шума
Fнорм = 7,5 дБ
| Q
| | 34
| Выпрямительные блоки и сборки
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение
Uобр, и, п, max = 600В
| Uпр, ср
| | 35
| Туннельный
| Отношение пикового тока к току впадины In/Iв = 5
| In/Iв
| Продолжение таблицы 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 36
| Стабилитрон
| Средний температурный коэффициент напряжения k = 0,1%
| Rст
| | 37
| Варикап
| Добротность Q = 300
| aCв
| | 38
| Выпрямительный
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 1В
| Iпр, и, п
| | 39
| Сверхвысокочастотный
| Нормированный коэффициент шума
Fнорм = 8,5 дБ
| Nm
| | 40
| Светоизлучающий
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 2В
| Pизл
| | 41
| Выпрямительные блоки и сборки
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение Uобр, и, п = 50В
| Iпр
| | 42
| Туннельный
| Отношение пикового тока к току впадины In/Iв = 4
| Un
| | 43
| Стабилитрон
| Постоянный обратный ток Iобр = 700 мкА
| Iст, и
| | 44
| Блоки и сборки выпрямительные
| Максимальный ток перегрузки выпрямительного диода Iпрг
| Pпр
| | 45
| Светоизлучающий
| Максимум спектрального распределения
lmax = 0,69 мкп
| Pизл
| | 46
| Выпрямительный
| Постоянный обратный ток Iобр = 5мкА
| Iпр, уд
| | 47
| Варикап
| Добротность Q = 180
| aQв
| | 48
| Туннельный
| Сопротивление потерь
rn = 4Ом
| Uв
| | 49
| Стабилитрон
| Максимальное дифференциальное сопротивление
| aUст
| | 50
| Выпрямительный
| Постоянный обратный ток Iобр = 400 мкА
| Iпр, д.
| | 51
| Варикап
| Постоянный обратный ток Iобр = 5 мкА
| Kc
| | 52
| Туннельный
| Сопротивление потерь
rп = 6Ом
| Upp
| | 53
| Выпрямительные блоки и сборки
| Минимальный ток перегрузки
| Pобр
|
Продолжение таблицы 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 54
| Светоизлучающий
| Максимум спектрального распределения lmax = 0,666 мкм
| fmax
| | 55
| Сверхвысокочастотные
| Коэффициент стоячей волны по напряжению
Ксти = 1,5
| rвыс
| | 56
| Выпрямительный
| Предельное постоянное обратное напряжение
Uобр, max = 560В
| Iпрг
| | 57
| Варикап
| Постоянный обратный ток Iобр = 1 мкА
| Qв
| | 58
| Туннельный
| Напряжение пика
Uп = 0,075 В
| FR
| | 59
| Стабилитрон
| Дифференциальное сопротивление rст = 10Ом
| tвкл
| | 60
| Выпрямительный
| Предельное постоянное обратное напряжение
Uобр max = 30В
| Iпр, уд
| | 61
| Варикап
| Постоянное обратное напряжение Uобр = 45В
| aCв
| | 62
| Выпрямительные блоки и сборки
| Ток перегрузки выпрямительного диода Iпрг = 28А
| Pcp
| | 63
| Сверхвысокочастотные
| Выходное сопротивление rвых = 210Ом
| rвых
| | 64
| Выпрямительный
| Предельное постоянное обратное напряжение
Uобр max = 800В
| Iпр, д
| | 65
| Варикап
| Постоянное обратное напряжение Uобр = 25В
| Fпред
| | 66
| Туннельный
| Напряжение впадины
Uвп = 0,75В
| In
| | 67
| Стабилитрон
| Дифференциальное сопротивление rст = 460м
| tвых
| | 68
| Выпрямительный
| Предельное постоянное обратное напряжение
Uобр max = 800В
| Iпрг
| | 69
| Варикап
| Предельная постоянная рассеиваемая
| aQв
| | 70
| Туннельный
| Минимальное напряжение впадины
| Iв
|
Продолжение таблицы 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 71
| Стабилитрон
| Максимальный ток стабилизации
Iст max = 29 мА
| Нст
| | 72
| Выпрямительный
| Предельное постоянное обратное напряжение
Uобр max = 20В
| Uобр, и, р
| | 73
| Светоизлучающий
| Максимальное импульсное обратное напряжение
| Ixx
| | 74
| Сверхвысокочастотные
| Выходное сопротивление rвых = 250Ом
| Tвыкл
| | 75
| Выпрямительные блоки и сборки
| Ток перегрузки выпрямительного диода Iпрг = 1А
| Pu
| | 76
| Выпрямительный
| Максимально допустимый постоянный прямой ток
Iпр max = 5А
| Uпор
| | 77
| Варикап
| Постоянное обратное напряжение
Uобр = 45В
| Kc
| | 78
| Туннельный
| Постоянное прямое напряжение
Uпр = 5,5В
| In/Iв
| | 79
| Стабилитрон
| Максимальный ток стабилизации
Iст max = 55мА
| Sш
| | 80
| Светоизлучающий
| Постоянный прямой ток Iпр = 5 мА
| Uкз
| | 81
| Выпрямительные блоки и сборки
| Средний максимальный прямой ток
Iпр, ср max = 0,6 мА
| rдиф
| | 82
| Варикап
| Емкость 17pФ
| Qв
| | 83
| Выпрямительный
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 1,5В
| Iпр, и,п
| | 84
| Туннельный
| Пиковый ток In = 15 мА
| Un
| | 85
| Стабилитрон
| Минимальный ток стабилизации Icт min = 3мА
| Uст
| | 86
| Выпрямительный
| Постоянный обратный ток Iобр = 100 мкА
| Iпр, уд
| | 87
| Светоизлучающие
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 8В
| Iкз
| Продолжение таблицы 2
| №
варианта
| Тип диодов
| Условие выбора диодов
| Параметр
| | 88
| Сверхвысокочастотные
| Выходное сопротивление rвых = 270Ом
| Rпр
| | 89
| Выпрямительные блоки и сборки
| Напряжение короткого замыкания Uкз = 4В
| Cд
| | 90
| Варикап
| Добротность Q = 300
| aCв
| | 91
| Выпрямительный
| Постоянный обратный ток Iобр = 700 мкА
| Iпр, д
| | 92
| Стабилитрон
| Дифференциальное сопротивление rст = 46Ом
| Iст
| | 93
| Выпрямительный
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 0,4В
| Uобр, и,р
| | 94
| Светоизлучающий
| Постоянное прямое напряжение Uпр = 2В
| tнар, изл
| | 95
| Сверхвысокочастотный
| Потери преобразования Lпрб = 6дБ
| Pгр
| | 96
| Выпрямительные блоки и сборки
| Напряжение короткого замыкания Uкз = 2В
| Cд
| | 97
| Выпрямительный
| Постоянный обратный ток Iобр = 100 мкА
| Iпр, д
| | 98
| Стабилитрон
| Дифференциальное сопротивление rст = 10 Ом
| Iст
| | 99
| Сверхвысокочастотный
| Потери преобразования Lпрб = 6,5дБ
| Pгр
|
Задача № 3
Из таблицы 3 выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного в таблице 3 параметра.
Ответ должен содержать:
- таблицу с выписанным заданием своего варианта;
- таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными;
- запись определения биполярного транзистора;
- схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) (Приложение В) в активном рабочем режиме;
- обозначение стрелками на схеме путей прохождения токов коллектора, базы, эмиттера и запись о том какие токи и напряжения являются для данной схемы входными и выходными;
- входные и выходные характеристики со всеми необходимыми построениями;
- расчет и построение нагрузочной прямой с обозначением на входных и выходных характеристиках напряжений, приложенных к транзистору, и токов во входной и выходной цепи транзистора;
- данные режима работы транзистора;
- таблицу расчета допустимых режимов и вывод о допустимости использования транзисторов в заданном режиме;
- обозначение на выходных характеристиках транзистора областей использования его в режимах отсечки и насыщения;
- ответ о физическом смысле параметра, заданного в графе 8, таблицы 3.
- используя данные таблицы 3, параметры, указанные в графе 9, элементов схемы включения транзистора.
Таблица 3 – Варианты задания к задаче № 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 1
| П605А
р-n-р
| 700 мА
| 8 В
| найти
| 16 В
| найти
| fтр
| Определить Rвх, Кi при амплитуде входного сигнала
Imб = 2 мА.
| | 2
| П607А
р-n-р
| найти
| 8В
| 2,75мА
| найти
| 22,8Ом
| fh21Э
| Определить Umк, Rвых, Рвых, если амплитуда входного сигнала
Imб =500мкА.
| | 3
| КТ608Б
n-р-n
| найти
| 5В
| 30мА
| 8В
| Найти
| h22э
| Определить коэффициент усиления по напряжению Кu и амплитуду переменного коллекторного тока Imk, если
Umвх = 0,5В.
| Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 4
| П701А
n-р-n
| найти
| 7В
| 100мА
| 40В
| 44Ом
| fh21э
| Определить статические параметры β, Rвых и рассеиваемую коллектором мощность Рк в рабочей точке.
| | 5
| ГТ806А
р-n-р
| найти
| найти
| 500 мА
| 10В
| 0,63Ом
| IКБО
| Определить координаты Р.Т. и выходную мощность каскада, если амплитуда входного тока
Imб = 10 мА.
| | 6
| П609А
р-n-р
| найти
| 10В
| 2мА
| 16В
| 22,8Ом
| IКЭО
| Определить коэффициент усиления по току Кi и Rвых. при амплитуде входного тока Imб = 0,5 мА.
| | 7
| П609А
р-n-р
| 0,29А
| найти
| 2мА
| 16В
| найти
| h21э
| Определить параметры β, h22э и сделать вывод о наличии иска-жения сигна-
ла.
| | 8
| КТ803А
n-р-n
| найти
| найти
| 150мА
| 50В
| 10 Ом
| UКэmax
| Определить выходную мощность Pвых и Rвых при
Imб = 0,5 мА.
| | 10
| МП42Б
р-n-р
| найти
| 5В
| найти
| 12В
| 0,24кОм
| h11э
| Определить входное со-
противление и амплитуду входного напряжения Umвх при
Imδ = 100мкА.
| Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 9
| МП38А
n-р-n
| найти
| 5В
| 0,2мА
| 14В
| найти
| fmax
| Определить амплитуду выходного тока, напря-
жения и Рвых при
Imб = 150 мкА.
| | 11
| КТ312А
n-р-n
| 25мА
| найти
| 0,4мА
| 15В
| Найти
| h11б
| Определить Ki при амплитуде входного сигнала
Imб = 0,1 мА.
| | 12
| ГТ321Д
р-n-p
| найти
| 7,5В
| найти
| 15В
| 35Ом
| Iк max
| Определить выходную мощность Рвых при
Imб = 0,5 мА.
| | 13
| КТ201А
n-p-n
| 17мА
| 8В
| найти
| найти
| 430 Ом
| Cк
| Определить амплитуду выходного напряжения
Um вых, при
Um вх = 0,05В.
| | 14
| ГТ402Д
p-n-p
| 220мА
| найти
| 4мА
| 8В
| найти
| h22б
| Определить параметр h11э при
Um вх = 0,05В.
| | 15
| К814А
p-n-p
| найти
| 3В
| 15мкА
| найти
| 11 Ом
| Uкэ нас
| Определить параметр h21э при
Imб = 10 мкА.
| | 16
| КТ815А
n-p-n
| 630мА
| найти
| 15мкА
| 10В
| Найти
| Pк max
| Определить коэффициент Ku, при
Um вх = 0,05В.
| | 17
| П605А
p-n-p
| найти
| 8В
| 5мА
| найти
| 11,4 Ом
| fh21э
| Определить Rвк, Кi при амплитуде входного сигнала
Imб = 2 мА.
| | 18
| П607А
p-n-p
| 350 мА
| найти
| 2,75мА
| найти
| 22,8Ом
| fгр
| Определить Umк, Rвых, Рвых, если амплитуда вход-ного сигнала
Imб =500мкА.
| Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 19
| КТ608Б
n-p-n
| 220 мА
| 5В
| найти
| 8В
| Найти
| h22э
| Определить коэффициент усиления по напряжению Кu и амплитуду переменного коллекторного тока Imk, если
Umвх = 0,5В.
| | 20
| П701А
n-p-n
| 750 мА
| 7В
| найти
| 40В
| Найти
| h21э
| Определить статические параметры β, Rвых и рассеиваемую коллектором мощность Рк в рабочей точке
| | 21
| ГТ806А
p-n-p
| 9,5А
| 4В
| найти
| 10В
| Найти
| Iкбо
| Определить координаты рабочей точки и выходную мощность каскада, если амплитуда входного тока
Imб = 10 мА
| | 22
| П609А
p-n-p
| 0,29А
| найти
| 2мА
| найти
| 22,8Ом
| h21э
| Определить коэффициент усиления по току Кi при амплитуде входного тока Imб = 0,5 мА
| | 23
| П609А
p-n-p
| 0,29А
| 10В
| найти
| найти
| 22,8Ом
| Iкэ0
| Определить параметры β, h22э и сделать вывод о наличии искажения сигнала.
| | 24
| КТ803А
n-p-n
| 3,4А
| найти
| 150мА
| 50В
| Найти
| Uкэ max
| Определить выходную мощность Pвых и Rвых при
Imб = 0,5 мА.
|
Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 25
| МП38А
n-p-n
| 28мА
| 5В
| найти
| найти
| 310 Ом
| fmax
| Определить амплитуду выходного тока и напря-жения и Рвых при
Imб = 150 мкА.
| | 26
| МП42Б
р-n-р
| p-n-p
28мА
| найти
| 400 мкА
| 12В
| Найти
| h11э
| Определить входное сопротивление и амплитуду входного напряжения Umвх при Imδ = 100мкА
| | 27
| КТ312А
n-p-n
| найти
| 6В
| 0,4 мА
| 15В
| Найти
| h11б
| Определить Ki при амплитуде входного сигнала
Imб = 0,1 мА.
| | 28
| ГТ321Д
p-n-p
| 0,2А
| найти
| 2мА
| найти
| 35 Ом
| Iк max
| Определить выходную мощность Рвых при
Imб = 0,5 мА.
| | 29
| КТ201А
n-p-n
| найти
| 8В
| 2мА
| найти
| 430 Ом
| Cк
| Определить амплитуду выходного напряжения Um вых, при
Um вх = 0,05В.
| | 30
| ГТ402Д
p-n-p
| найти
| 4В
| 4мА
| 8В
| Найти
| h22б
| Определить параметр h11э при
Um вх = 0,05В.
| | 31
| КТ814А
p-n-p
| 630 мА
| найти
| 15мкА
| найти
| 11Ом
| Uкэ нас
| Определить параметр h21э при
Imб = 10 мкА.
| | 32
| П701А
n-p-n
| найти
| 7В
| 100 мА
| найти
| 44 Ом
| fh21э
| Определить статические параметры β, Rвых и рассеиваемую коллектором мощ- ность Рк в рабочей точке.
| Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 33
| КТ815А
n-p-n
| найти
| 3В
| 15мкА
| 10В
| Найти
| Pк max
| Определить коэффициент Ku, при
Um вх = 0,05В.
| | 34
| П605А
p-n-p
| найти
| 8В
| найти
| 16В
| 11,4Ом
| fh21э
| Определить Rвх, Кi при амплитуде входного сигнала
Imб = 2 мА.
| | 35
| П607А
p-n-p
| 350мА
| найти
| 2,75мА
| 16В
| Найти
| fгр
| Определить Umк, Rвых, Рвых, если амплитуда входного сигнала
Imб =500мкА.
| | 36
| КТ608Б
n-p-n
| 220 мА
| найти
| 30мА
| 8В
| Найти
| h22э
| Определить коэффициент усиления по напряжению Кu и амплитуду переменного коллекторного тока Imk, если
Umвх = 0,5В.
| | 37
| ГТ806А
p-n-p
| найти
| найти
| 500 мА
| 10В
| 0,63Ом
| Iкбо
| Определить координаты Р.Т. и выход-ную мощ-ность каскада, если амплиту-да входного тока
Imб = 10 мА.
| | 38
| МП42Б
p-n-p
| 28мА
| 5В
| найти
| 12В
| Найти
| fmax
| Определить входное сопротивление и амплитуду входного напряжения
Umвх при
Imδ = 100мкА.
| Продолжение таблицы 3
| №
варианта
| Данный транзистор
| Данные для нахождения рабочей точки (Р.Т.) и построения нагрузочной прямой.
| Пара-метр
| Данные для расчета параметров транзистора
| | IКр.т
| UКЭр.т
| IБр.т
| Eк
| Rн
| | 39
| П609А
p-n-p
| 0,29А
| найти
| найти
| 16В
| 22,8Ом
| h21э
| Определить коэффициент усиления по току Кi при амплитуде входного тока Imб = 0,5 мА и Rвых.
| | 40
| П609А
p-n-p
| 0,29А
| найти
| 2мА
| 16В
| Найти
| Iкэ0
| Определить параметры β, h22э и сделать вывод о наличии искажения сигнала.
| | 41
| КТ803А
n-p-n
| 3,4 А
| найти
| 150мА
| найти
| 10Ом
| Uкэ max
| Определить выходную мощность Pвых
| Поделиться:
| |
|
Археология
Биология
Генетика
География
Информатика
История
Логика
Маркетинг
Математика
Менеджмент
Механика
Педагогика
Религия
Социология
Технологии
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
