Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Для расчета полупроводниковых приборов.Содержание книги
Поиск на нашем сайте
Сопротивление диода постоянному току R0=Uа/Iа , (1) где Uа — напряжение на диоде в прямом направлении, В; Iа — ток через диод в прямом направлении, А. Сопротивление диода переменному току (дифференциальное сопротивление) Ri=∆Uа / ∆ Iа , (2) где ∆Uа — изменение прямого напряжения, В; ∆Iа — изменение прямого тока под действием изменения прямого напряжения, А. Крутизна вольт-амперной характеристики диода S=∆Iа/∆Uа, (3) Мощность потерь на аноде диода Pa= IаUа, (4) Входное сопротивление транзистора переменному току RBX = ∆UВХ/∆IBX, (5) где ∆UВХ — изменение входного напряжения, В; ∆IBX — изменение входного тока под действием изменения входного напряжения, А. Коэффициенты: усиления тока базы в схеме с общим эмиттером h21э=∆Iк/∆Iб, (6) передачи тока эмиттера в схеме с общей базой h21б = ∆Iк/∆Iэ, (7) где ∆Iк,∆Iб, ∆Iэ — изменения токов коллектора, базы и эмиттера. Связь между коэффициентом усиления тока базы h21э и коэффициентом передачи тока эмиттера h21б h21э = h21б/(1-h2lб) (8) Мощность потерь на коллекторе PK = IKUK, (9) где IK — ток коллектора, A; UK — напряжение на коллекторе, В
ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ОСНОВНЫЕ ФОРМУЛЫ И УРАВНЕНИЯ Коэффициент усиления по напряжению KU=UВЫХ/UВХ, (1) где UВЫХ, UВХ — напряжения на выходе и входе усилителя. Коэффициент усиления по напряжению, выраженный в децибелах, KU=20lgK, (2) Коэффициент усиления многокаскадного усилителя K=K1K2…Kn,
КДБ= K1ДБ +K2ДБ+…+Kn ДБ , (3) где K1K2…Kn — коэффициенты усиления отдельных каскадов. Коэффициент частотных искажении усилительногокаскада М=К0/К, (4) где К0 —коэффициент усиления на средних частотах; К— коэффициент усиления на какой-либо частоте рабочего диапазона. Коэффициент частотных искажений, выраженныйв децибелах, МДБ=20lg М (5) Коэффициент частотных искажений многокаскадного усилителя Мобщ=М1М2...Мn, или МобщДБ=М1ДБ+М2ДБ +...+Мn ДБ (6) Коэффициент усиления лампового каскада на средних частотах (рис 1.) Kо=μRН/(RН+Ri), (7) где μ статический коэффициент усиления электронной лампы; Ri — внутреннее сопротивление электронной лампы переменному току, Ом; RH — сопротивление анодной нагрузки, Ом. Коэффициент усиления транзисторного каскада на средних частотах (рис.2) KO=h21ЭRН/RВХ, (8) где h21Э — статический коэффициент усиления тока базы в схеме с общим эмиттером; RH —сопротивление коллекторной нагрузки, Ом; RBX — входное сопротивление транзистора, Ом. Сопротивление автоматического смещения в цепи катода лампового усилительного каскада RК=ЕС/IКО, (9) где ЕС — напряжение смещения, В; IКО — постоянная составляющая катодного тока, А. Напряжение смещения в транзисторном каскаде при использовании схемы эмиттерной температурной стабилизации UБЭ=IДЕЛR2-IЭОRЭ, (10) где IДЕЛ = EK/(R1+R2) — постоянный ток делителя в цепи базы транзистора; IЭО — постоянная составляющая тока эмиттера, А. Емкость блокировочного конденсатора в цепи катода (эмиттера) С≥10/(2πfНR), (11) где fН — нижняя частота спектра усиливаемых колебаний, Гц; R —сопротивление резистора в цепи катода (эмиттера), Ом. Электрический КПД усилителя η≥PВЫХ/PО, (12) где PВЫХ — выходная мощность усилителя; PО — мощность, расходуемая источником коллекторного (анодного) питания. Мощность, выделяемая внагрузке, PН= ηТPВЫХ, (13) где ηТ —КПД выходного трансформатора; PВЫХ — мощность, отдаваемая транзистором.
Сопротивление нагрузки, пересчитанное в первичную обмотку трансформатора (приведенное сопротивление) (рис.4), R ' Н= RН/n2, (14) где RH —сопротивление нагрузки; n — коэффициент трансформации выходного трансформатора. Коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью, К * O=КO/(1+КОСКО), (15) где Ко — коэффициент усиления каскада до введения ООС; Кос — коэффициент обратной связи. Добротность колебательного контура Q=ZВ/rК, (16) где ZB —волновое сопротивление контура, Ом; rк — сопротивление потерь, Ом.
|
||
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-22; просмотров: 391; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.128 (0.007 с.) |