Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Лабораторная работа 2. Исследование методов полученияСодержание книги
Поиск на нашем сайте Полупроводниковых материалов высокой чистоты Контрольные вопросы 1. Что такое коэффициент распределения? Понятие равновесного и эффективного коэффициентов распределения. 2. Сущность метода направленной кристаллизации. Применение метода направленной кристаллизации. 3. Сущность метода зонной плавки. Применение метода зонной плавки. 4. Сравнительная характеристика методов очистки. 5. Особенности очистки германия и кремния.
Литература
1. Иглицина М.И. Технология полупроводниковых материалов: учеб. пособие / М.И. Иглицина. М.: Оборонгиз 1961. 313 с. 2. Коновалов О.М. Полупроводниковые материалы / О.М. Коновалов. Харьков: Харьк. ун-та, 1963. 212 с. Лабораторная работа 3. Изучение свойств материалов При сварке в твердом состоянии Контрольные вопросы 1. Что такое диффузионная сварка (ДС) и каковы ее особенности? 2. Какие достоинства и недостатки имеет ДС по сравнению с другими видами сварки и пайкой? 3. Какие физические основы лежат в основе ДС? 4. Как производится выбор режимов ДС?
Литература 1. Конюшков Г.В. Диффузионная сварка в электронике / Г.В. Конюшков, Ю.Н. Копылов. М.: Энергия, 1975. 168 с. Лабораторная работа 4. Исследование напряжений и методов их экспериментального определения в металлических И металлокерамических соединениях
Контрольные вопросы 1. Что такое внутренние напряжения? Опишите виды напряженного состояния. Каковы причины возникновения остаточных напряжений в деталях различного типа (многослойных, монолитных)? 2. В чем заключается явление релаксации внутренних напряжений (ВН)? 3. Дайте характеристику методов измерения ВН.
Литература 1. Сопротивление материалов: учебник для вузов / Г.С. Писаренко, В.А. Агарев, А.Л. Квитка и др. Киев: Вища школа, 1986. 775 с. 2. Конюшков Г.В. Диффузионная сварка в электронике / Г.В. Конюшков, Ю.Н. Копылов. М.: Энергия, 1975. 168 с. ЛИТЕРАТУРА 1. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, B.C. Сорокин. М.: Высшая школа, 1986. 368 с. 2. Богородитский Н.П. Электротехнические материалы / Н.П. Богородитский, В.В.Пасынков, Б.М. Тареев. Л.: Энергия, 1985. 304 с. 3. Корицкий Ю.В. Справочник по электротехническим материалам / Ю.В. Корицкий. М.: Энергия. Т.1. 1986. 368 с. 4. Керамика и ее спаи с металлами в технике / В.А. Преснова, М.Л. Любимов, В.В. Строгонова и др. М.: Атомиздат, 1969. 232 с. 5. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высшая школа, 1986. 368 с. 6. Закиров Ф.Г. Откачник вакуумщик / Ф.Г. Закиров, Е.Н. Николаев. М.: Высшая школа, 1977. 253 с., ил. 7. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов. М.: Высшая школа, 1980. 327 с. ПРИЛОЖЕНИЕ А
Рис. 1. Пример сборки металлокерамического узла для торцевой пайки
Рис. 2. Пример сборки металлокерамического узла на конической посадке для пайки
Рис. 3. Металлокерамические изоляторы в корпусах ПП: а, б – патронных; в, г – таблеточных; д – с винтом
Рис. 4. Конструкции корпусов транзисторов: 1 – кристаллодержатель; 2 – проходной изолятор; 3 –крышка; 4 – выводы
Рис. 5. Конструкции корпусов туннельных диодов: 1 – кристаллодержатель; 2 – верхний фланец; 3 – керамическая втулка; 4 – крышка
Рис. 6. Схемы фланцевых соединений с металлическими уплотнениями
Рис. 7. Схемы бесфланцевых грибковых соединений с резиновыми уплотнителями: а – неразборное; б – разборное
МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Методические указания, программа и контрольные задания для студентов направления 200500, 200700 очной и заочной формы обучения
Составили: Котина Наталия Макаровна Балакин Александр Николаевич Куц Любовь Евгеньевна
Под редакцией Н.М. Котиной
Рецензент В.П. Шумарин
Корректор Д.А. Козлова
Саратовский государственный технический университет 410054, Саратов, Политехническая ул., 77 Отпечатано в РИЦ СГТУ, 410054, Саратов, Политехническая ул., 77
|
||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-26; просмотров: 466; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.21 (0.007 с.) |