Схема ТТЛ со сложным инвертором

↑

▷ Содержание

⇐ ПредыдущаяСтр 6 из 8Следующая ⇒

Билет № 37

Туннельный и обращенный диоды

Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе p⁺-n⁺ перехода с сильнолегированными областями, на прямом участке вольт-амперной характеристики которого наблюдается n-образная зависимость тока от напряжения

Обращенными диодами называют полупроводниковые диоды, в которых вследствие туннельного эффекта проводимость при обратном напряжении значительно больше, чем при прямом, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны

Обращенный диод - это туннельный диод без участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Высокая нелинейность вольт-амперной характеристики при малых напряжениях вблизи нуля (порядка микровольт) позволяет использовать этот диод для детектирования слабых сигналов в СВЧ-диапазоне

Операционный усилитель, основные параметры

Операционный усилитель - это электронный усилитель напряжения с высоким коэффициентом усиления, имеющий дифференциальный вход и обычно один выход. Напряжение на выходе может превышать разность напряжений на входах в сотни или даже тысячи раз.

Параметры, описывающие качество ОУ, можно разделить на три группы: точностные, динамические и эксплуатационные.

Схема ИЛИ - НЕ на МДП и КМДП.

Схемы логических элементов ИЛИ — НЕ(а) и И — НЕ(б) на КМДП (МДП)-транзисторах

Билет № 38

Диод Шоттки

Диод шоттки - это полупроводниковый диод выполненный на основе контакта металл-полупроводник. Назван в честь Вальтера Шоттки. Схематическое изображение диода шоттки похоже на обычный диод с некоторыми незначительными отличиями

Вместо п-н перехода, в диодах шоттки в качестве барьера используют металл - полупроводник, в области этого перехода возникает потенциальный барьер - барьер шоттки, изменение высоты которого приводит к изменению протекания тока через прибор. Самая главная особенность диодов Шоттки - это низкий уровень падения прямого напряжения после перехода, отсутствие заряда обратного восстановления

Операционный усилитель, внешние цепи

Операционный усилитель – универсальный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и однотактным выходом.

Схема И - НЕ на МДП и КМДП. Рисовать Б схему

Билет 39

Классификация транзисторов

Классификация по типу материала: монокристалл бывает изготовлен из германия, кремния, арсенида галлия, изоляторы из стекла, ножки из меди с позолотой или без. Корпуса выполняются из меди или стали с позолотой или без, из пластика или из метало-керамики.

Классификация по структуре.

а) Биполярные транзисторы делятся по следующим видам проводимости:

прямой проводимости - переход «p-n-p»

обратной проводимости – переход «n-p-n»

б) Однопереходные.

в) Полевые транзисторы делятся: с обычным или изолированным затвором, с каналами «p» или «n»типа, а также с индуцированным или со встроенным каналом.

г) На эффекте Джозефсона (криогенные).

д) Многоэмиттерные.

е) Баллистические.

ж) Одномолекулярные.

з) Комбинированные.

и) Биполярные с резисторами.

к) Транзистор Дарлингтона

л) Лямбда-диод составной полевой транзистор.

м) Транзистор «IGBT» - с изолированным затвором

Классификация транзисторов по мощности

При работе они выделяют некоторую мощность в виде тепла. По рассеиваемой мощности их разделяют на:

а) мощность малая до 100 мВт.

б) мощность средняя от 0,1 до 1 Вт.

в) мощность более 1 Вт.

Классификация по исполнению

По исполнению они делятся на:

а) дискретные.

б) корпусные.

в) без корпуса.

г) транзисторы в микросхемах.

Классификация по конструкции корпуса и материалу

Корпус металло-стеклянный

Корпус пластмассовый

Корпус керамический

Познавательные статьи:



Организация работы процедурного кабинета

Статус республик в составе РФ

Понятие финансов, их функции и особенности

Сущность демографической политии