Графоаналитический расчет динамического режима транзистора

Транзистор VT p-n-p -типа (необходимо указать марку транзистора и его тип проводимости) включен в усилительный каскад по схеме с ОЭ. Каскад питается от одного источника с напряжением Е_к = – 10 В. Для подачи смещения в цепь базы используется резистор R_б. Имеет место смещение рабочей точки током базы покоя. Обратите внимание, что на рисунке 2.1 включен транзистор типа n-p-n, тогда как в задаче задан p-n-p -типа.

Постоянная составляющая тока базы I_б0 = 0,3 мА, амплитуда переменной составляющей тока базы I_mб =0,2 мА, сопротивление нагрузки R_к = 0,5 кОм, а максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллектором, Р_Кmax =150 мВт. Диапазон частот усиливаемых колебаний f_н=80 Гц, f_в=5 кГц.

Требуется:

а) привести схему включения заданного транзистора и выполнить графоаналитический расчет ее;

б) проверить, не превышает ли мощность Р_К0, выделяемая на коллекторе в режиме покоя, максимально допустимую мощность Р_Кmax;

в) для рабочей точки усилителя найти параметры h_21э, h_22э, R_вых = 1/ h_22э, h_11э, и аналитически рассчитать величины К_I, К_U, К_P, R_вх.

Методические указания к выполнению графоаналитического расчета динамического режима транзистора

Характеристики транзистора берутся из справочника, например, для заданного показаны на рисунках 3.2 и 3.3:

а) на семействе выходных характеристик (см. рисунок 3.3) строим линию максимально допустимой мощности, используя уравнение:

I_Kmax = Р_Кmax / U_кэ I_Kmax = 150×10^-3 / U_КЭ.

Подставим значения U_КЭ, равные, например, -7,5; -10; -15; -20 В, получаем значения I_Kmax, равные 20; 15; 10; 7,5 мА, соответственно (см.таблицу 3.1).

Т а б л и ц а 3.1

Построим по этим точкам линию Р_Кmax на рисунке 3.3;

б) используя уравнение линии нагрузки I_к=(Е − U_кэ)/R_к, на семействе выходных характеристик строим линию нагрузки

при I_к= 0, U_кэ = Е_к = − 10 В − первая точка линии нагрузки,

при U_кэ= 0, I_к = Е_к/ R_к = 10/500 = 20 мА − вторая точка. Соединяем их.

Точка пересечения линии нагрузки с характеристикой, соответствующей постоянной составляющей тока базы I_б0=300 мкА, определит рабочую точку. Ей будут соответствовать

I_ко = 6 мА, U_кэ0 = − 7 В.

Амплитуду переменной составляющей тока коллектора определим как среднее значение

, I_mк = (9×10^-3 −2×10^-3) / 2 = 3,5 мА.

Амплитуда переменного напряжения на нагрузке

U_mR = U_mкэ = I_mк R_к, U_mR = U_mкэ = 3,5×10^-3 × 0,5×10³ = 1,75 В.

Коэффициент усиления по току

К_I = I_mк / I_mб, К_I = 3,5×10^-3 / 0,2×10^-3 = 17,5.

Выходная мощность Р_вых = 0,5 I_mк U_mR,

Р_вых = 0,5×3,5×10^-3 ×1,75 = 3×10^-3= 3 мВт.

Полная потребляемая мощность в коллекторной цепи

Р₀ = Е_кI_к0, Р₀ = 10×6×10^-3 = 60 мВт.

Кпд коллекторной цепи

h = Р_вых / Р_о, h = 3×10^-3 / 60×10^-3 = 0,05 = 5 %.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе постоянной составляющей коллекторного тока

Р_К0 = I_К0U_КЭ0, Р_К0 = 6×10^-3×7 = 42 мВт, Р_Кmax = 150 мВт,

Р_К0 < Р_Кmax − следовательно, режим работы усилителя является допустимым;

в) далее расчет ведем по семейству входных характеристик (см. рисунок 3.2). У транзисторов входные характеристики расположены близко друг от друга, поэтому в качестве рабочей входной характеристики можно принять одну из статических входных характеристик, соответствующую активному режиму, например, характеристику, снятую при U_КЭ = − 5 В. Из графика находим, что U_бэ0 = − 0,25 В.

Амплитуда входного напряжения

, U_mбэ = (277×10^-3 − 187×10^-3) /2 = 45 мВ.

Модуль коэффициента усиления по напряжению

|К_U| = U_mкэ / U_mбэ, |К_U| = 1,75 / 45×10^-3 = 39.

Коэффициент усиления по мощности

К_Р = | К_I K_U |, K_P = 39×17.5 @ 690.

Входная мощность

P_вх = 0,5I_mбU_mб, Р_вх = 0,5×0,2×10^-3 ×45×10^-3 = 4,5 мкВт.

Входное сопротивление

R_вх = U_mбэ / I_mб, R_вх = 45×10^-3 / 0,2×10^-3 = 225 Ом.

Сопротивление резистора R_б

, R_б = (10−0,25) /0,3×10^-3 =32,5 кОм.

Емкость разделительного конденсатора С_р определяется из условия

где w_н – низшая рабочая частота;

С_Р = , С_Р =10 / (6,28×80×225) = 90 мкФ;

г) рассчитаем h -параметры в рабочей точке при U_КЭ = 7 В и I _к0 = 6 мА

h_21э = b = ;

по точкам В и Г на рисунке 3.3 определим

h_21э = = 18,5.

По точкам D и E определим

h_22э = h_22э = = 117 мкСм.

R_вых = , R_вых = = 8,5 кОм,

параметр h_11э = .

По точкам М и N на рисунке 3.2 определим

h_11э = = 210 Ом.

Крутизна характеристики транзистора

S = y_21э = = = 88 мА/В.

С помощью найденных параметров определим искомые значения по приближенным формулам. Коэффициент усиления по току К_I» h_21э = 18.5, точнее

К_I = = = 17.5, что сходится с результатом графо-аналитического расчета.

Входное сопротивление R_вх @ h_11э » 210 Ом.

Коэффициент усиления по напряжению

К_U» » = - 44; точнее, К_U = = - 41.5.

Коэффициент усиления по мощности

K_P = êK_I × K_U ê= 17,5 × 41,5 = 725.

Познавательные статьи:



Организация работы процедурного кабинета

Статус республик в составе РФ

Понятие финансов, их функции и особенности

Сущность демографической политии