Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
БТ як активний чотириполюсник.Содержание книги Поиск на нашем сайте
Прослушать
Коефіцієнти позначені символами h11, h12, h21, h22 і будемо називати h -параметрами транзистора. 2.Система рівнянь h -параметрів БТ. Залежно від схеми ввімкнення транзистора (СЕ, СБ СК) до позначень h-коефіцієнтів додається індекс, наприклад, h11Е або h11Б або h11К. Визначимо фізичний зміст h -параметрами транзистора:
- вхідний опір транзистора при короткому замиканні на виході для малої змінної складової струму;
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока;
- дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;
- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.
Для схеми ввімкнення транзистора СЕ параметр h21Е відповідає коефіцієнту β та наводиться в довідниках. 3.Визначення h -параметрів за характеристиками БТ. Значення h- параметрів транзистора можна знайти за допомогою сімейств вхідних та вихідних характеристик. Для цього: 1. Відзначають на характеристиках положення робочої точки за постійним струмом, в якій визначаються h-параметри. 2. Визначаються малі прирости струмів і напруг щодо робочої точки і розраховуються h -параметри. Як приклад визначимо значення h11Е, h12Е, h21Е, h22Е - параметрів транзистора в робочій точці, що задається величинами ІБ (0), ІК (0), UБЕ (0), UКЕ (0).
УПрослушать Znachennya h-parametriv tranzystora mozhna znay̆ty za dopomohoyu simey̆stv vkhidnykh ta vykhidnykh kharakterystyk. Dlya tsʹoho: Словарь - Открыть словарную статью Умова D iБ =0 означає, що в базовому струмі IБ =I(0)+ D iБ лише зміннаскладова рівна 0, а не весь базовий струм. Тоді за характеристиками визначаємо: D iК =І´К - IК(0); D uКЕ =U´КЕ(0)- UКЕ(0). Ці виміри проводяться на вихідній характеристиці знятій при iБ =IБ(0).
.
Умова D uКЕ =0 означає, при вимірюванні uКЕ не змінюється і рівна UКЕ (0). Тоді за характеристиками визначаємо: D iК =І´´К - IК(0); D iб =І´б - Iб(0). Параметри h11Е и h12Е визначаються аналогічно за вхідними характеристиками транзистора (рис.):
де D uБЕ = UБЕ´ - UБЕ(0), а D iб =І´б - Iб(0).
де D uБЕ = UБЕ(0) - U´´БЕ, а D uКЕ = U´КЕ - UКЕ(0).
|
|||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-24; просмотров: 237; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.21 (0.006 с.) |