Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Выбор транзисторов мощного каскада усиленияСодержание книги
Поиск на нашем сайте
В двухтактной схеме с двухполярным источником питания, усилительные элементы которой работают в классе В, максимальное значение напряжения U кэ max на закрытом транзисторе достигает почти полного напряжения источника питания
где K 3 U =1,1…1,3; либо в случае симметричного источника питания
Напряжение источника питания усилителя определяется следующим образом:
где U Н max – максимальное значение напряжения на нагрузке, заданное по техническому заданию; ULm =0,5 I н L нω – максимальная величина ЭДС самоиндукции в случае активно-индуктивной нагрузки; Поскольку расчет схемы еще не выполнен, полагаем
тогда формула (2.2) принимает вид
откуда следует
Полученное в ходе расчетов значение напряжения источника питания следует округлить до ближайшего большего из номинальных напряжений: 2,4 В; 3,0 В; 6,0 В; 6,3 В; 9,0 В; 10 В; 12,5 В; 15 В; 20 В; 24 В; 27 В; 30 В; 40 В; 48 В; 60 В; 80 В; 100 В; 125 В; 150 В. Максимально возможный ток в силовой цепи выходного транзистора с учетом коэффициента запаса по току определяется соотношением
где K 3 i =1,1…1,3. Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе выходного транзистора в двухтактной схеме усилителя постоянного тока класса В, как следует из разд. 1
Далее из справочника выбираются транзисторы, параметры которых удовлетворяют условиям:
причем при выборе транзисторов, безусловно, должны выполняться лишь требования, относящиеся к максимально допустимому напряжению. Требования к максимально допустимым значениям тока и мощности для одного транзистора могут быть не выполнены, но только с учетом возможности параллельного соединения нескольких транзисторов. При выборе транзисторов необходимо учитывать не только выполнение условий (2.6), но и другие характеристики транзисторов: коэффициент передачи тока b; обратный ток коллекторного перехода I кб0; тепловое сопротивление переход – корпус Целесообразно выбирать транзисторы, составляющие комплиментарную пару, что упрощает последующие расчеты усилителя, так как в этом случае ведется расчет только одного плеча усилительного каскада. Осуществляя выбор транзисторов, следует избегать применения приборов с необоснованно избыточными параметрами. Так, например, при использовании мощного транзистора в маломощной схеме тепловой ток коллектора может оказаться соизмеримым с рабочим, что может привести к отказу каскада. Кроме того, при малых, по сравнению с номинальным, токах может оказаться уменьшенным коэффициент передачи тока и т.д. Параметры всех отобранных транзисторов сводятся в таблицу вида табл. 2.1, для предварительной оценки и принятия решения по окончательному выбору транзистора. Пример. Покажем выбор транзисторов для следующих исходных данных: I н = 2 А; R н = 3,5 Ом; L н = 0,001 Гн; ω = 100 Гц. Из (2.2) получаем максимальное значение ЭДС самоиндукции
а затем, используя (2.3) находим
В соответствии с рядом номинальных напряжений полученное значение округляем до U ИП = 9 В. Тогда из соотношений (2.1), (2.4), (2.5) получаем
Таким образом, из справочных данных выбираем транзисторы КТ816А и КТ817А, удовлетворяющие условиям (2.6), паспортные данные которых приведены в табл. 2.1:
Выбранные типы транзисторов представляют собой комплиментарную пару, что облегчает расчет проектируемого усилителя. При выполнении курсового проекта следует сопоставить две-три пары транзисторов, проанализировав их параметры. Таблица 2.1 Паспортные данные транзистора
Расчет площади теплоотвода
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-30; просмотров: 377; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.21 (0.006 с.) |