Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ:  Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия ЭкологияТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву 
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Указания к выполнению задачи №1Содержание книги
Поиск на нашем сайте
Прочерки в таблице №1 означают, что при выполнении задачи №1 эти данные не требуются. Ниже приведена сводка формул и выражений, которыми можно воспользоваться при решении задачи №1:
1. Вероятность нахождения электрона на уровне с энергией Е определяется статистикой Ферми-Дирака:
где ЕF - энергия уровня Ферми. 2. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике определяются выражениями:
В этих выражениях NС и РV – эффективные плотности электронных состояний в зоне проводимости и дырочных состояний в валентной зоне соответственно, ЕС и ЕV - энергии дна зоны проводимости и вершины валентной зоны соответственно, 3. Электропроводности полупроводника σ в общем случае определяется суммой электронной σп и дырочной σр проводимостей:
где п и р – концентрации электронов и дырок, которые в первом приближении не отличаются от равновесной, и определяются выражениями (2) и (3), 4. Концентрации неосновных носителей рn и nр при заданной температуре рассчитываются на основе закона действующих масс, определяющее для примесных полупроводников соотношение между концентрациями основных и неосновных носителей:
для электронного полупроводника и
для дырочного полупроводника.
Расчет неизвестной концентрации носителей тока можно провести, решая совместно равенства (4) и (5) или (4) и (6) в зависимости от типа проводимости полупроводника. Положение уровня Ферми рассчитывается пользуясь соотношениями (2) и (3) в зависимости от типа полупроводника. Для расчета вероятности события, занят уровень электроном или нет, можно воспользоваться формулой (1).
Таблица 1
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-17; просмотров: 116; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.156 (0.006 с.) |
, (1)
, где 
и (2)
, где 
(3)
и 
- эффективные массы электрона и дырки соответственно.
, (4)
и 
– подвижности электронов и дырок, 
- удельное сопротивление.
– (5)
- (6)
