Телекоммуникаций и информатики»

↑

▷ Содержание

Стр 1 из 2Следующая ⇒

Телекоммуникаций и информатики»

(ГОУ ВПО «СибГУТИ»)

В.Л. Савиных

А.И. Брикман

Э.Н. Шилай

ЭЛЕКТРОНИКА

Лабораторный практикум

Новосибирск

УДК 621.38(075.8)

К.т.н., доц. В.Л. Савиных, к.т.н., доцент А.И. Брикман, асс. Э.Н. Шилай

Электроника: Практикум / СибГУТИ. – Новосибирск, 2010 г. – 49 с.

В лабораторном практикуме по курсу ²Электроника", рассмотрены краткие правила выполнения лабораторных работ, приведены описания шести работ, даны указания по выполнению этих работ с использованием электронной лаборатории Electronics Workbench и по оформлению результатов исследований.

Для студентов дневной формы обучения для направлений

23 010 1.65, 23 010 5.65.

Кафедра технической электроники.

Ил. 40, табл. 44, список лит. 11 назв.

Рецензент: к.т.н., доцент Матвеев В.А.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве методических указаний.

@ Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики, 2010

Оглавление

ПРАВИЛА ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

Подготовка к работе

Подготовка к выполнению лабораторной работы включает в себя:

а) ознакомление с описанием работы;

б) изучение вопросов курса, указанных в описании, по одному из рекомендованных литературных источников и по конспекту лекций;

в) подготовку бланка отчета.

Выполнив указанные пункты, студент должен знать схемы исследования,

предполагаемый вид графиков, которые предстоит снять экспериментально, и уметь ответить на контрольные вопросы.

Предварительная подготовка бланка отчета позволяет в процессе выполнения работы записывать показания приборов непосредственно в таблицы отчета и строить по ним графики.

Бланк отчета начинается с титульного листа, который должен быть написан по следующей форме:

СибГУТИ

Кафедра технической электроники

Отчет по лабораторной работе 1

²Исследование статических характеристик

и параметров полупроводниковых диодов²

Составил: студент гр. П-91 Иванов А. Б. 15. 02. 11

Проверил: асс. Шилай Э.Н. 22. 02. 11

Далее необходимо указать цель работы, изобразить схему исследования и заготовить таблицы для записи результатов измерений. Примеры выполнения таблиц даны в каждой лабораторной работе.

Перед заполнением таблицы не следует полностью переписывать соответствующий пункт задания. Достаточно указать номер выполняемого пункта (по описанию работы), написать название выполняемого пункта и записать функциональную зависимость (если она имеется в задании).

Так как заполнение таблиц бланка отчета производится в процессе выполнения работы, то оформление отчета включает в себя: построение графиков, расчет необходимых значений и выводы по работе. Оформление отчета производится в соответствии с разделом "Указания к составлению отчета", имеющимся в описании каждой лабораторной работы.

При записи электрических величин (в таблицах, на осях координат и др.) кроме их обозначений необходимо написать единицы измерения, например: U_KЭ, В; I_K, мА; R1, Ом.

При построении графиков следует выбирать масштабы по координатным осям, так чтобы наиболее полно использовать всю площадь графика - до 90 %. Цифры масштаба должны быть расставлены вдоль координатных осей через равные промежутки. На график необходимо наносить реальные значения величин (четко обозначенные точки), полученные в результате эксперимента. Результирующая кривая, построенная по этим точкам, должна иметь сглаженный характер и проходить через большинство точек, но необязательно через каждую точку. Общий вид кривой должен соответствовать теоретической характеристике исследуемого прибора.

Лабораторная работа №1.

Цель работы

Изучить устройство полупроводниковых диодов различных типов, физические процессы, происходящие в них, характеристики и параметры.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

2.1.2 Электронно-дырочный переход (p-n переход), его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.

2.1.3 Вольтамперные характеристики (ВАХ) и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.

2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.

2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?

2.2.2 Как создается p-n переход в полупроводниках?

2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?

2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода?

2.2.5 Как выглядят потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?

2.2.6 Как происходит движение носителей зарядов через p-n переход:

a) при отсутствии внешнего напряжения,

b) при прямом включении,

c) при обратном включении.

2.2.7 Каковы различия между теоретической и реальной ВАХ p-n перехода и чем они объясняются?

2.2.8 Чем отличаются ВАХ p-n переходов, изготовленных из Ge, Si и Ga As?

2.2.9 Что такое барьерной и диффузионной емкости p-n перехода?

2.2.10 Как влияет изменение температуры полупроводника на положение ВАХ p-n перехода? (Привести графики для двух различных значений температуры.)

2.2.11 Какие основные параметры полупроводниковых диодов называются номинальными и какие – предельными?

2.2.12 Каков физический смысл дифференциальных параметров диодов?

.

2.2.13 Каковы особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов (выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов) и каковы их основные параметры?

2.2.14 Каковы условные графические обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов?

2.2.15 Каковы способы увеличения допустимой мощности, рассеиваемой диодом?

Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 56-69.

2 Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр. 33-48.

3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.

4 Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.

5 Справочники по полупроводниковым диодам.

6 Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2010. Электронная версия.

Задание для работы в лаборатории.

4.1 Для снятия ВАХ диодов при прямом включении собрать схему, приведенную на рисунке 1.

Рисунок 1- Схема для исследования ВАХ диода при прямом включении.

4.2 Последовательно снять ВАХ - I_ПР=f(U_ПР) - для диодов 1 и 2 согласно указанного варианта (приложение А.1 в конце лабораторной работы). Значения I_ПР устанавливать в соответствии с данными в таблице 1 и 2. В эти же таблицы заносить показания вольтметра, соответствующие значениям U_ПР.

Таблица 1 - Диод 1 (указать по варианту)

Примечания:

1 Классическое выражение для ВАХ - I_ПР=f(U_ПР) – полагает, что I_ПР является функцией_, а U_ПР – аргументом. Однако, прямой ток значительно изменяется при небольшом изменении напряжения, поэтому удобнее в эксперименте использовать источник тока I_ПР, измеряя при этом вольтметром падение напряжения на диоде.

2 При построении графика ВАХ использовать классическое представление ось Y - I_ПР, ось X - U_ПР.

Таблица 2 - Диод 2 (указать по варианту)

4.3 Удалить в схеме рисунок 1. диод и заменить его стабилитроном модели, указанной в варианте. Провести аналогичные действия для заполнения таблицы 3.

Таблица 3 - Стабилитрон (указать по варианту)

4.4 Для снятия ВАХ диодов при обратном включении собрать схему, приведенную на рисунке 2.

Рисунок 2 - Схема для исследования ВАХ диода при обратном включении.

4.5 Последовательно снять ВАХ - I_ОБР.=f(U_ОБР.), устанавливая значения U_ОБР в соответствии с данными, указанными в таблице 1.4 и 1.5.

Таблица 1.4 – Диод 1 (указать по варианту)

Таблица 1.5 - Диод 2 (указать по варианту)

4.6 Для исследования ВАХ стабилитрона собрать схему, указанную на рисунке 3. Ограничительное сопротивление R1 включено для исключения резкого броска тока при выходе на рабочий участок характеристики.

Рисунок 3 - Схема для исследования стабилитрона.

4.7 Изменяя значения U_ОБР, снять ВАХ стабилитрона I_СТ=f(U_СТ), результаты измерений занести в таблицу 1.6. Исследования проводить до тех пор, пока ток I_CT не достигнет значения I_CT.МАХ=40 мА.

Таблица 6 – Стабилитрон (указать по варианту)

4.8 Для исследования однополупериодного выпрямителя собрать схему, показанную на рисунке 4. В качестве диода использовать Si диод, указанный в варианте. Сопротивление нагрузки R = 1 кОм, напряжение U=20 B, f = 50 Гц.

Рисунок 4 - Схема для исследования однополупериодного выпрямителя

4.9 Получить значение постоянной составляющей выпрямленного напряжения и осциллограммы входного и выходного напряжений для четырех значений фильтрующего (сглаживающего) конденсатора С:

конденсатор отключен – клавишей F размыкается ключ,

C = C1 и С = С2 – значения из варианта,

С = С3 = 1000мкФ – для всех вариантов.

Показания вольтметра занести в таблицу 7.

Таблица 7 – Постоянная составляющая выпрямленного напряжения

Приложение А

Таблица А.1 – Варианты заданий

Лабораторная работа №2.

БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы

Изучить принцип действия биполярного транзистора (БТ) его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Исследовать БТ в режиме усиления.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство БТ, принцип действия, основные физические процессы.

2.1.2 Схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).

2.1.3 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.

2.1.4 Уравнения коллекторного тока и коэффициенты передачи тока для всех схем включения.

2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ.

2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.

2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, на его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и на предельные параметры.

2.1.8 Дифференциальные параметры БТ и их определение по статическим характеристикам транзистора.

2.1.9 Работа БТ в усилительном режиме.

2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Каково устройство плоскостного транзистора?

2.2.2 Каков принцип действия биполярного бездрейфового транзистора?

2.2.3 Какой вид имеют схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n?

2.2.4 Каковы потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов для различных режимов работы?

2.2.5 Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?

2.2.6 Из каких компонентов состоит ток базы?

2.2.7 Что такое коэффициенты инжекции и переноса?

2.2.8. Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?

2.2.9 Каково уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ?

2.2.10 Какой вид имеют входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ?

2.2.11 Где на входных и выходных характеристиках транзистора находятся области, соответствующие активному режиму работы, режимам отсечка и насыщение?

2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?

2.2.13 Чем объясняется влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ?

2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?

2.2.15 В чем состоит и чем объясняется влияние температуры на рабочую область БТ?

2.2.16 Какой вид имеют системы уравнений с h-параметрами в дифференциальной и комплексной формах?

2.2.17 Как определяются h-параметры по статическим характеристикам транзистора?

2.2.18 В чем состоит работа БТ в усилительном режиме.?

Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 87-113.

2. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.59-69.

3. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д -М: Радио и связь, 1998. Стр. 70-81, 86-92.

4. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-170 (выборочно).

5. Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981.

6. Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2008. Электронная версия.

Задание для работы в лаборатории

4.1 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОБ собрать схему, приведенную на рисунке 1.

Рисунок 1. Схема для исследования транзистора при включении с ОБ.

Тип БТ установить в соответствии с вариантом (Приложение А.1). Этот же тип остается во всех последующих схемах.

4.2 Изменяя ток эмиттера 0,1, 1, 5 мА и т.д. снять две входные характеристики транзистора I_Э= f(U_ЭБ) при U_КБ=0 и U_КБ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1 - Транзистор (указать по варианту)

4.3 Снять выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КБ) для трех значений тока эмиттера I_Э: 1) I_Э=0, 2) I_Э=10 мА, 3) I_Э=20 мА.

Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2 - Транзистор (указать по варианту)

4.4 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОЭ собрать схему, приведенную на рисунке 2.

Рисунок 2. Схема для исследования транзистора при включении с ОЭ.

4.5 Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ) при двух значениях U_КЭ: 1) U_КЭ=0, 2) U_КЭ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 3.

Таблица 3 - Транзистор (указать по варианту)

4.6 Снять семейство из шести выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы, указанных в таблицу 4, включая I_Б=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. в диапазоне значений U_КЭ от 0В до ~ 1В. Результаты измерений занести в таблицу 4.

Таблица 4 - Транзистор (указать по варианту)

4.7 Для исследования схемы усилителя на БТ, включенного с ОЭ, собрать схему, приведенную на рисунке 3. На базу транзистора подаются постоянное напряжение смещения Е_БЭ и переменное напряжение U_ВХ = U_БЭ~. Выходным напряжением усилителя является переменная составляющая U_БЭ~ = U_ВЫХ

Рисунок 3. Схема усилителя, включенного с ОЭ.

4.8 Перед включением схемы установить следующие параметры:

Е_КЭ = 15 В, U_{БЭ ~} = 10 мВ, f = 1 кГц, R_H = 1.5 k.

Для вольтметра установить режим постоянного напряжения – DC.

4.9 Подобрать напряжение источника смещения Е_БЭ такой величины, чтобы постоянное напряжение на коллекторе (показания вольтметра в режиме DC) составляло 7-8 В.

4.10 Переключить вольтметр в режим измерения переменного напряжения – АС и снова включить схему.

Определить коэффициент усиления К_U = U_ВЫХ/U_BX. Зарисовать в отчет осциллограммы на входе и выходе усилителя.

4.11 Рассчитать параметры h_11Э, h_21Э и h_22Э по соответствующим графикам.

Расчет произвести в рабочей точке U_КЭ = 10 В и I_Б=200 мкА,

5 Содержание отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы с результатами измерений

5.3 Графики входных и выходных характеристик для схем включения БТ с ОБ и ОЭ. Примеры графиков даны на рисунках 4.4-4.6.

5.4 Расчет значений h_11Э, h_21Э и h_22Э по соответствующим графикам:

5.5 Значение K_U и осциллограммы напряжений на входе и выходе усилителя.

5.6 Выводы по работе.

а) схема с ОБ б) схема с ОЭ

Рисунок 4. Входные характеристики БТ

Рисунок 5. Выходные характеристики БТ – схема включения с ОБ

Рисунок 6 – Выходные характеристики БТ – схема включения с ОЭ

Приложение А

Таблица А.1 – Варианты заданий

Лабораторная работа № 3.

Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и зависимость параметров от режима работы МДП ПТ.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

Статические характеристики и параметры режима МДП ПТ.

Дифференциальные параметры ПТ их измерение и определение по характеристикам.

Зависимость дифференциальных параметров от режима работы

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Как устроены ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналам?

2.2.2 Какой вид имеют условные графические обозначения ПТ разных типов и структур?

2.2.3 Каковы принципы действия ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналом?

2.2.4 Какой вид имеют передаточные и выходные характеристики ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналом?

2.2.5 Какой вид имеют схемы для исследования статических характеристик МДП ПТ с каналами различных типов?

2.2.6 Как определить дифференциальные параметры МДП ПТ по статическим характеристикам?

2.2.7 Какой вид имеют схемы для исследования параметров МДП ПТ различных типов с каналами p -типа и n -типа?

2.2.8 Какой вид имеют и чем объясняются графики зависимостей дифференциальных параметров ПТ от режима его работы?

2.2.9 Какие параметры ПТ называются предельным эксплуатационным?

2.2.10 Чем объясняется влияние температуры на работу ПТ, на его статические характеристики и параметры?

Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 73-86.

2 Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.48-59.

3 Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

4 Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

5 Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2010. Электронная версия.

Задание для работы в лаборатории

4.1 Собрать схему для исследования статических характеристик МДП ПТ со встроенным каналом (ВК), показанную на рисунке 3.1. Установить тип ПТ с ВК согласно варианту (Приложение А.1). U_СИ = 10 В для всех вариантов.

Рисунок 1. Схема для исследования статических характеристик

МДП ПТ ВК.

ВНИМАНИЕ!!! МДП ПТ ВК могут работать в двух режимах:

- обеднение – U_ЗИ < 0 для n -типа и U_ЗИ > 0 для p -типа,

- обогащение - U_ЗИ < 0 для p -типа и U_ЗИ > 0 для n -типа.

4.2 Снять характеристику прямой передачи в режиме обеднения, (т.е. при U_ЗИ < 0) I_C=F(U_3И). Определить напряжение отсечки U_ЗИ0, которое соответствует значению I_C» 10мкА

Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1 - ПТ (указать по варианту)

В разделе "Обеднение" значения U_ЗИ – отрицательные.

4.3 Снять три выходные (стоковые) характеристики транзистора в режиме обеднения, при значениях напряжения U_{ЗИ 1}= 0, U_{ЗИ 2} » 0,25·U_{ЗИ ОТС} и U_{ЗИ 3}» 0,5·U_{ЗИ ОТС}. Результаты измерений занести в таблицу 2.

4.4 Снять характеристику прямой передачи в области обогащения. Для этого поменять полярность источника G1. Характеристику снимать до тех пор, значение I_C не достигнет ~15 мА. Результатами измерений дополнить таблицу 1.

4.5 Снять стоковые характеристики транзистора при двух значениях U_ЗИ в режиме обогащения, при U_{ЗИ 4} » 0,25·U_ЗИО и U_ЗИ5» 0,5·U_ЗИО. Эти значения будут положительными, т.к. U_ЗИО < 0. Результатами измерений дополнить в таблицу 2.

Таблица 2 - ПТ (указать по варианту)

Примечание: U_ЗИ2 ÷ U_ЗИ5 – записать конкретные значения напряжений.

4.6 По результатам измерений построить:

- характеристику прямой передачи,

- семейство стоковых характеристик.

4.7 Собрать схему для исследования статических характеристик МДП ПТ с индуцированным каналом (ИК), показанную на рисунке 2. Установить тип ПТ с ИК согласно варианту (Приложение А). U_СИ = 10 В для всех вариантов.

Рисунок 2. Схема для исследования статических характеристик

МДП ПТ ИК.

4.8 Снять характеристику прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом и определить пороговое напряжение U_{3И ПОР}, соответствующее значению I_C» 10 мкА. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет ~15 мА. Результаты измерений занести в таблицу 3.3 аналогичную таблице 1.

4.9 Снять выходные характеристики при трех значениях напряжения на затворе U_ЗИ в режиме обогащения транзистора с индуцированным каналом при U_{ЗИ 1}=1,25·U_{3И ПОР}, U_{ЗИ 2}= 1,5·U_{3И ПОР} и U_{ЗИ 3}= 1,75·U_{3И ПОР}.

Результаты измерений внести в таблицу 4, аналогичную таблице 2.

4.10 По результатам измерений построить:

- характеристику прямой передачи,

- семейство стоковых характеристик.

4.11 Для измерения крутизны у МДП ПТ с ВК собрать схему, показанную на рисунке 3. Установить для всех вариантов: U_СИ = 10 В, U_ЗИ~ - 100 мВ/1кГц, для амперметра – режим переменного тока – АС.

4.12 Исследовать зависимость крутизны от значения U_ЗИ для МДП ПТ с ВК. Для того же диапазона значений U_ЗИ, что и в таблице 1, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 5. Вычислить крутизну по формуле S = I_C~ / U_ЗИ~, [мА/В] (3.1)

Таблица 5 - ПТ (указать по варианту)

4.13 Для измерения крутизны у МДП ПТ с ИК собрать схему, показанную на рисунке 4.

4.14 Провести действия аналогичные п. 4.12. Диапазон значений U_ЗИ такой же, как в таблице 2.

Результаты занести в таблицу 6, аналогичную таблице 5.

Таблица 6 - ПТ (указать по варианту)

Приложение А

Таблица А.1 – Варианты заданий

Лабораторная работа № 4.

Исследование функциональных узлов преобразования аналоговых сигналов на основе операционного усилителя

Цель работы

Исследование функциональных узлов преобразования аналоговых сигналов, выполненных на основе операционного усилителя.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие разделы курса, связанные с применением операционного усилителя и построением следующих функциональных узлов на его основе:

2.1.1 Инвертирующий и неинвертирующий усилитель с заданным

коэффициентом усиления;

2.1.2 Сумматор и вычитатель.

2.1.3 Интегратор и дифференциатор.

2.1.4 Детектор и ограничитель.

2.1.5 Генератор и мультивибратор.

2.1.6 Фильтры: полосовых, нижних и верхних частот.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Какой вид имеют схемы инвертирующего и неинвертирующего усилителей и как влияют элементы схем на параметры усилителей?

2.2.2 Какой вид имеют схемы сумматора и вычитателя, и каковы принципы их работы?

2.2.3 Какой вид имеют схемы интегратора и дифференциатора, и каковы принцип их работы.

2.2.4 Какой вид имеют схемы детектора и ограничителя, и каковы принцип их работы?

2.2.5 Какой вид имеют схемы автогенератора и мультивибратора, и каковы принцип их работы?

2.2.6 Какой вид имеют схемы фильтров: полосовых, нижних и верхних частот и их АЧХ?

Литература

1 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ,

12Следующая ⇒

Поделиться:

Познавательные статьи:



Психологические особенности спортивного соревнования

Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации

Занятость населения и рынок труда

Социальный статус семьи и её типология