Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ:  Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия ЭкологияТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву 
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналомСодержание книги
Поиск на нашем сайте
IС,mA
UСИ=5В
обеднение обогащение
UОТС Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное. а) Пусть Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1). б) Пусть Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала в) Пусть Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения. Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения. Достоинства и недостатки полевых транзисторов Достоинства: · Высокое входное сопротивление ( · Бесконечно большое усиление по току
коэффициент усиления по току 0 · Малый уровень собственных шумов. (Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака). · Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима. · Хорошая развязка между входом и выходом ( · Малый разброс параметров. Недостатки: · Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц). Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.
0 UСИ
· МОП-транзисторы боятся статического электричества.
Тиристоры Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более p–n переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Основное назначение тиристоров – переключение.
Динисторы Динистор – это неуправляемый тиристор с тремя переходами. Обозначение:
К
ЭП1, ЭП2 – эмиттерные переходы Э1, Э2 – высоколегированные эмиттеры КП – коллекторный переход (образован слаболегированными базами Б1 и Б2) Принцип действия динистора основан на использовании физических явлений: инжекция, экстракция и лавинный пробой. Если на аноде плюс, то протекающий через динистор ток Iа смещает эмиттерные переходы в прямом направлении, а КП – в обратном (смотри знаки на рисунке). При малом анодном напряжении практически все оно выделяется на обратно смещенном КП, имеющем большое сопротивление. Эмиттеры при этом не инжектируют. Динистор закрыт. С ростом анодного напряжения возникает инжекция ОНЗ через эмиттерные переходы (дырки из Э1 перемещаются в Б1, электроны из Э2 – в Б2). Инжектированные в базу ОНЗ становятся ННЗ. Для них суммарное поле (Евнешнее + Евн) является ускоряющим – возникает экстракция (дырки из Б1 перебрасываются суммарным полем в Б2, а электроны из Б2 в Б1). В результате концентрация ОНЗ в базах растет, следовательно, растет проводимость КП, а значит, будет уменьшаться его сопротивление и толщина. Но рост анодного напряжения сопровождается ростом напряженности электрического поля КП. При определенном значении напряжения (Uа=Uавкл) напряженность поля становиться очень высокой, а толщина КП очень незначительной, в результате чего происходит лавинный пробойКП,анодный ток резко возрастает, базы динистора при этом насыщаются ОНЗ, динистор включается. ВАХ динистора Iа
Iауд В
Д
а) Участок ОА (Uа < Uавкл):
|
||||||||||||||
|
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-09-05; просмотров: 403; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.198 (0.008 с.) |
IС,mA обогащение
обеднение UЗИ=-1В
0 UСИ, В
(поперечное поле отсутствует).
увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.
достигает 1014 Ом).
(
).
).
IС 
А
∆IС
∆UСИ
о о Пример: КН 102А
А
Iа
p1 + 
Э1 RН
ЭП1 _
n1 Б1
_ + о +
Uа КП _ ЕВН о _Еа
p2 Б2 ЕВНЕШН 
+
n2 Ө Э2
С
Uпр
Iавкл А
Iко
О Uа
Uавкл
