Заглавная страница
Избранные статьи
Случайная статья
Познавательные статьи
Новые добавления
Обратная связь
FAQ
Написать работу

ТОП 10 на сайте

Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации

Техника нижней прямой подачи мяча.

Франко-прусская война (причины и последствия)

Организация работы процедурного кабинета

Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний

Коммуникативные барьеры и пути их преодоления

Обработка изделий медицинского назначения многократного применения

Образцы текста публицистического стиля

Четыре типа изменения баланса

Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву

Мы поможем в написании ваших работ!

ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Влияние общества на человека

Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации

Практические работы по географии для 6 класса

Организация работы процедурного кабинета

Изменения в неживой природе осенью

Уборка процедурного кабинета

Сольфеджио. Все правила по сольфеджио

Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления

Главная Избранные Случайная статья Познавательные Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу

Конденсатори постійної ємності

↑

⇐ ПредыдущаяСтр 11 из 11

Таблиця Д.4.1.

Конденсатори оксидні типу К50-16

Тип конденсатора	Номінальна ємність, мкФ	Номінальна напруга, В	Допустиме відхилення, %	Розміри, мм
D	H	d	l
K50-16		6,3	+ 80 ч - 20	5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0	5,0

	8.5	16,0
	11,5	14,0	7,5
	13,0	17,0
		5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0	5,0

	19,0
	11,5	14,0	7,5
	16,0
	13,0	19,0
	19,0	27,0	0,9	10,0
		5,0	14,0	0,6	2,5
	7,0

	8,5
	16,0
	11,0	14,0	7,5
	13,0	17.0
	15,0	19,0
	17,0	27,0	10,0
	19,0	46,0
		5,0	14,0		2,5
	7,0	5,0

	8,5
	16,0
	11,5	14,0	7,0
	13,0	17,0
	17,0	19,0		10,5
	19,0	27,0
	46,0

Таблиця Д.4.2.

Конденсатори оксидні типу К53-7

Тип конденсатора	Номінальна ємність, мкФ	Номінальна напруга, В	Допустиме відхилення, %	Розміри, мм
D	L	d	l
К53-7	1,0		+ 20…-15	3,7	25,5	0,7	30,0
1,5
2,2	4,5	27,5	32,5
3,3
4,7	32,5	37,5
6,8	37,5	42.5
10,0	7,5	27,5	0,9	32.5
15,0
22,0	34,5	40,0
33,0	37,5	42,5
47,0	8,3	41,5	47.5
0,1		3,7	18,5	0,7	22,5
0,47	4,5	25,5	30,0
1.0	27,5	32.5
1,5
2,2	32,5	37,5
3,3	37,5	42.5
4,7	7,5	27,5	0,9	32,5
6,8
10.0	34,5	40,0
15,0	37,5	42,5
22,0	8,3	41,5	47,5

Таблиця Д.4.3.

Конденсатори плівкові К73-17

Номінальна ємність, мкФ	Розміри, мм
L	B	H	A	d
0,22					0,6
0,33	6,3
0,47			0,8
0,68		6,3

1,5	8,5
2,2		8,5
3,3	10,5
4,7				1,0
Примітка. 1. Допустиме відхилення ємності ± 5; 10; 20 %. 2 Призначені для роботи в колах постійної, змінної та пульсуючої напруги. 3. Номінальна напруга 63 В.

Таблиця Д.4.4..

Конденсатори керамічні КЛС-1

Типорозмір	Номінальна ємність, пФ (до 6800), мкФ (від 0,01) для групи ТКЄ
М47, М75	М750, М1500	Н30	Н50	Н70	Н90
	30-56	330-510	1500; 2200			4700; 6800; 0,01; 0,015; 0,022
	62-75	560-820				0,033
	82-130	910-1200			0,01	0,47
	150-240	1300-1800		4700;	0,015	0,068
	270-300	2000-3000	0,01	0,01	0,022; 0,033	0,1
Примітка. 1.Проміжні значення номінальних ємностей відповідають ряду Е24. 2. Номінальна напруга конденсаторів групи Н70, Н90 дорівнює 35 В, групи Н30 – 50 В, решта груп – 80 В. 3. Допустиме відхилення ємності від номінальної для груп М47, М75, М1500 дорівнюють ± 5; 10; 20 %; для групи Н50 – ± 20 %; для групи Н30, Н70, Н90 – + 80, -20 %.

Таблиця 4.5.

Конденсатори неполярні алюмінієві оксидно-електролітичні типу К50-15

Номінальна напруга, В	Номінальна ємність, мкФ	Розміри, мм
D	L








	4,7
6,8

Таблиця Д.4.6.

Конденсатори керамічні КM-4

Таблиця Д.4.7.

Конденсатори керамічні КM-6

Додаток 5

Кремнієві стабілітрони

Таблиця Д.5.1.

Параметри	Типи кремнієвих стабілітронів
КС133А	КС139А	КС147А	КС156А	КС168А	Д814А	Д814Б	Д814В	Д814Г	Д814Д	КС515А	КС518А	КС520А	КС522А	КС527А	КС531А
Номінальна напруга стабілізації, В	3,3	3,9	4,7	5,6	6,8	8,0	9,0
Мінімальна напруга стабілізації, В	3,0	3,5	4,0	4,7	5,6	7,0	8,0	9,0		11,5	13,5	16,2		19,8	24,3	27,9
Максималь-на напруга стабілізації, В	4,1	4,8	5,6	6,6	8,0	8,5	9,5	10,5			16,5	19,8		24,2	29,7	34,1
Диферен-ціальний опір, Ом
Мінімальний струм стабілізації, мА
Максималь-ний струм стабілізації, мА
Температур-ний коефіцієнт напруги, 10^-3·(1 / ^оС)				0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	0,9				0,1			1,2
Розсіювана потужність, Вт	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	1,0	1,0	0,5	1,0	1,0	0,5

Тип транзистора	f_α, МГц	h_21e, _(β)	С_к, пФ	τ_кб, пс	І_к.0, мкА	U_{ке.макс}, В	І_к.доп, А	P_к.доп, Вт	R_t.пк, ^оС/Вт
Транзистори кремнієві, провідність (p-n-p)
КТ202Г		40-160					0,01	0,015
КТ202Д		100-300					0,01	0,015
КТ3107А		70-140			0,1		0.1	0,3
КТ3107Б		120-220			0,1		0,1	0,3
КТ3107И		180-460			0,1		0,1	0,3
КТ3107К		380-800			0,1		0,1	0,3
КТ502А		40-120					0,3	0,35
КТ502Б							0,3	0,35
КТ502В		40-120					0,3	0,35
КТ502Г		80-240					0,3	0,35
КТ502Д		40-120					0,3	0,35
КТ502Е		40-120					0,3	0,35
КТ345А		20-60		-			0,2	0,10
КТ345Б		50-85		-			0,2	0,10
КТ345В		70-105		-			0,2	0,10
КТ361А		20-90					0,02	0,15
КТ361Б		50-350					0,02	0,15
КТ361В		20-90					0,02	0,15
КТ361Г		50-90					0,02	0,15
КТ361Д		20-90					0,02	0,15
КТ361Е		50-350					0,02	0,15
КТ370А		20-70			0,5		0,015	0,015	-
КТ370Б		40-120			0,5		0,015	0,015	-
КТ372А		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ372Б		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ372В		10			0,5		0,01	0,05	-
КТ638А		50-350					0,1	0,1
КТ638Б		150-450					0,1	0,1
КТ644А		40-120			0,1		0,6	1,0
КТ644Б		100-300			0,1		0,6	1,0
КТ814А		40					1,5
КТ814Б		40					1,5
КТ814В		40					1,5
КТ814Г		30					1,5
КТ816Д		20					3,0
КТ816Б		20					3,0
КТ816В		20					3,0
КТ816Г		15					3,0
КТ818А		15	-				10,0
КТ818Б		20	-				10,0
КТ818В		15	-				10,0
КТ818Г		12	-				10,0

Додаток 6

Біполярні транзистори

Таблиця Д.6.1.

Параметри біполярних транзисторів з провідністю p-n-p типу

Таблиця Д.6.2.

Параметри біполярних транзисторів з провідністю n-p-n типу

Тип транзистора	f_α, МГц	h_21e, (β)	С_к, пФ	τ_кб, пс	І_к.0, мкА	U_{ке.макс}, В	І_к.доп, А	P_к.доп, Вт	R_t.пк, ^оС/Вт
Транзистори кремнієві, провідність (n-p-n)
КТ201Б		30-90					0,02	0,15
КТ201Г		70-210					0,02	0,15
КТ3101А		100-250			0,05		0,1	0,25
КТ3101В		200-500			0,05		0,1	0,25
КТ3101Г		400-1000			0,05		0,1	0,25
КТ602А		20-80					0,075	0,85
КТ602Б		30-150					0,075	0,85
КТ503А		40-120					0,3	0,35
КТ503Б		80-240					0,3	0,35
КТ503В		40-120					0,3	0,35
КТ503Г		80-240					0,3	0,35
КТ503Д		40-120					0,3	0,35
КТ503Е		40-120					0,3	0,35
КТ312А		10-100		-			0,01	0,225
КТ312Б		25-100		-			0,01	0,225
КТ312В		50-280		-			0,01	0,225
КТ315А		20-90					0,1	0,15
КТ315Б		50-350					0,1	0,15
КТ315В		20-90					0,1	0,15
КТ315Г		50-90					0,1	0,15
КТ315Д		20-90					0,1	0,15
КТ315Е		50-350					0,1	0,15
КТ324А		20-60	2,5		0,5		0,02	0,015
КТ324В		80-250	2,5		0,5		0,02	0,015
КТ373А		100-250			0,05		0,05	0,15
КТ373Б		200-600			0,05		0,05	0,15
КТ373В		500-1000			0,05		0,05	0,15
КТ605А		10-40					0,1	0,1
КТ605Б		30-120					0,1	0,1
КТ630А		40-120					1,0	1,0
КТ630Б		80-240					1,0	1,0
КТ815А		40					1,5
КТ815Б		40					1,5
КТ815В		40					1,5
КТ815Г		30					1,5
КТ817Д		20					3,0
КТ817Б		20					3,0
КТ817В		20					3,0
КТ817Г		15					3,0
КТ819А		15	-				10,0
КТ819Б		20	-				10,0
КТ819В		15	-				10,0
КТ818Г		12	-				10,0

Додаток 7

Польові транзистори

Таблиця Д.7.1.

Параметри польових транзисторів з керуючим p-n - переходом

Тип транзистора	І_с.макс, _мА	S, мА/В	U_{св.макс,} В	U_від, В	С_зв, пФ	С_зс, пФ	І_з.вит, нА	r_св, кОм	P_с.доп, мВт
Транзистори польові з керуючим n-p переходом і каналом n - типу
КП302А	3-24	5
КП302Б	18-43	7
КП302В	18-45
КП303А	0,5-2,5	1-4		0,5-3,0
КП303Б	0,5-2,5	1-4		0,5-3,0
КП303В	1,5-2,5	2-5		1,0-4,0
КП305Д		5-10		6,0		0,8
КП305Е		4-8		6,0		0,8	0,05
КП305Ж		5-10		6,0		0,8
КП305И		4-10		6,0		0,8
2П307А		4-9		0,5-3,0		1,5
2П307В		5-10		1-5		1,5
2П307Г		6-12		1,5-3,0		1,5
2П308А		1-4		0,2-1,2
2П308Б		1-4		0,3-1,8
2П308В		2-5		0,4-2,4
2П308Г		2-5		1,0-6,0
2П312А		4,0-5,8		2,0-8,0				7,7
2П312Б		2,0-5,0		0,8-6,0				9,1
КП314А
КП323А-2		4-5,8		0,74-6			0,1
2П333Б		2-5		0,6-4				1,5
2П333В		4-5,8		1-8			0,2	1,5
Транзистори польові з керуючим n-p переходом і каналом p - типу
КП101А		0,3				2,5		5,25
КП101Б		0,3				2,5
КП101В		0,5				2,7
КП102Ж		0,3-0,9				5,0	1,5
КП102К		0,45-1,2		7,5		5,0	1,5
КП102Л		0,65-1,3		10,8		5,0	1,5
КП103 Е	0,3	0,4-2,4		0,4-1,5
КП103 Ж	0,35-3,8	0,5-2,8		0,5-2,2
КП103 И	0,4-4	0,6-2,9		0,8-3
КП103 К	1-5,5	1-3		1,4-2
КП103 Л	2,7-10,5	1,2-4,2		2-6
КП103М	3-12	1,2-4,4		2,8-7
КП201Е	0,3-0,65	0,4		1,5
КП201Ж	0,55-1,2	0,7		2,2
КП201И	1-2,1	0,8
КП201К	1,7-3,8	1,4
КП201Л	3-6	1,8

Додаток 8

Операційні підсилювачі

Таблиця Д.8.1.

Параметр	К140УД6	К140УД7	К140У10	К140У11	К140УД14	К140УД17	К140УД18	К140УД20	К140УД22	К153УД3	К154УД2	К154УД3	К544УД2	КР574УД2	КР1408УД1
Коефіцієнт підсилення за напругою (К_u0), тис.
Напруга живлення (± U_ж), В
Струм споживання (I_сп), мА		2,8
Напруга зміщення(U_зм), мВ						0,1
Вхідний струм (I_вх), нА							0,2		0,2				0,5
Різниця вхідних струмів (ΔІ_вх), нА							0,2		0,05				0,1	0,5
Дрейф напруги зміщення (ΔU_зм/ΔT), мкВ/^оС						1,3
Частота зрізу, МГц		0,8			0,5	0,4	2,5	0,5							0,5
Максимальна швидкість наростання вихідної напруги (V_max), В/мкс		0,3			0,1	0,1		0,3		0,5
Вхідний диференціальний опір (R_вх.д), МОм		0,4	0,4	0,4			10⁶	0,4		0,4	0,5			10³
Вихідний опір (R_вих), к Ом	0,2	0,2	0,15	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,5	0,2
Мінімальний опір навантаження (R_н.мін), кОм
Вихідна напруга (U ^± ), В		10,5

НАВЧАЛЬНЕ ВИДАННЯ

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ

до виконання контрольної роботи

з навчальної дисципліни

«Електроніка та мікросхемотехніка»

для студентів стаціонарної та заочної форми навчання

базового напряму 6.0914 «Комп’ютеризовані системи автоматика і управління» та базового напряму 050201 «Системна інженерія»

Укладачі Вітер О.С., канд. техн. наук, доц.

Проць Р.В., канд. техн. наук, доц.

⇐ Предыдущая 2 3 4 5 6 7 8 9 1011

Познавательные статьи:

Психологические особенности спортивного соревнования

Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации

Занятость населения и рынок труда

Социальный статус семьи и её типология

Последнее изменение этой страницы: 2016-08-15; просмотров: 462; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.21 (0.007 с.)